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富士通研究所(川崎市中原区、富田達夫社長、044・754・2613)は、従来のシリコン製に比べ、消費電力を半分以下に減らせるシリコンゲルマニウム製の光スイッチを開発した。光と電子を融合...

消費電力は毎秒1ギガビットあたり3ミリワットで、シリコンゲルマニウム製のトランジスタを使った従来の増幅器に比べ、3分の1以下の省電力で動作する。

日立製作所は、10ギガ―30ギガヘルツ(ギガは10億)の周波数帯域(準ミリ波帯)を使う無線通信システム向けに、シリコン系半導体を用いた送受信回路を開発した。... 日立...

これら金属三水素化物はこれまで研究されたシリコン、ゲルマニウム、スズの金属四水素化物に比べ、超電導状態になる圧力が低い特性を持つ。

シリコンゲルマニウムなど従来の化合物半導体製と比べると、約3分の1に減らせる。

送受信モジュール容積を約半分に小型化でき、従来のシリコンゲルマニウム製に比べ増幅器の出力が約4倍高まる。

シリコンゲルマニウム製で、57ギガ―66ギガヘルツの従来より広い周波数帯で使える。

微細回路を計測するX線解析測定技術(XRD)と、厚さ1ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜を計測できるX線反射率測定技術(XRR)により、シリコン・...

同社はLSIをシリコンゲルマニウムプロセスを使って開発、32ギガサンプル(1秒間に320億回)の軟判定速度を実現した。

安価な製造プロセスを使え、性能が高いシリコンゲルマニウムを材料に採用。

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