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フジキン、IGS用バルブ開発 開閉耐久性80%向上 (2018/6/19 機械・ロボット・航空機2)

半導体製造プロセスは、原子層レベルで成膜する原子層堆積(ALD)が主流になり、メモリーの多層化なども加速している。

例えばナノテクで核となるのは、原子層堆積法や集束イオンビーム法などの最先端技術だ。... 従来の半導体分野に加え、プラスチック・金属の接合材料や、原子数層分のコーティングで拒絶反応を抑える人工臓器など...

日立ハイテク、半導体ウエハー成膜装置でフィンランド社と協業 (2017/2/1 電機・電子部品・情報・通信1)

ピコサンの成膜装置に日立ハイテクのプラズマ技術を組み合わせ、プラズマ原子層堆積(PE―ALD)装置を共同で開発する。

粉体に成膜加工できる装置などを卓上型原子層堆積(ALD)装置「SAL1000シリーズ」として、2016年12月に発売した。 ... ALD法は精密な堆積制御を実現し、...

「ALD(原子層堆積法)成膜と、エッチングだ。

菅製作所、卓上型原子層堆積装置を投入−粉体に成膜加工 (2016/12/5 機械・ロボット・航空機1)

菅製作所(北海道北斗市、菅育正社長、050・3734・0730)は、粉体に成膜加工できる装置などを卓上型原子層堆積(ALD)装置「SAL1000シリーズ」として発売した...

3次元積層した半導体の貫通電極を作成する際に利用する原子層堆積(ALD)をレンズにも応用した。... 同装置は真空層に二酸化ケイ素などの原料ガスとレンズ基板を入れ、プラズマを放射し成膜...

装置としてはALD(原子層堆積法)成膜、エッチング、洗浄などを重視していく」 ―IoTの普及拡大により、古い世代の製造装置へのニーズも高まります。

サムコ、パワー半導体向けALD装置を開発・販売−大型化も視野 (2015/12/3 電機・電子部品・情報・通信1)

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったパワー半導体のゲート酸化膜形成用に、原子層堆積(ALD)装置を開発し発売した。... ALD装置は1...

300度C以下の低温で作製したこの3層のゲートスタック構造は、酸化膜の品質が従来に比べて3倍以上に向上。... 従来は、原子層堆積法でアルミ酸化膜を形成し、酸素プラズマを照射して約400度Cの高温で作...

ワッティー、大学や企業の研究開発向け「ALD(原子層堆積)成膜装置」を発売した。アルミナや酸化チタンなどの成膜物質を原子1個分の厚みで制御し、積層できる。

開発した高密度プラズマ発生技術を用いるCVD(化学気相堆積)装置は、高生産性と低温での薄膜成膜が特徴という。 日本製鋼所が100%出資する子会社、JSWアフテ...

シリコン基板に約0・4ナノメートルの酸化イットリウムを原子層堆積(たいせき)法で薄く成膜、その上に絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜を作製し、さらに金属電極をつける。

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