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TSMCはファウンドリーの市場シェアで約6割を誇り、回路線幅3ナノメートル(ナノは10億分の1)という世界最先端の半導体製造技術を持つ。
2024年末に量産を始める第1工場は、回路線幅12ナノ―28ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体を製造する。
回路線幅12ナノメートル(ナノは10億分の1)などのロジック半導体を生産する。... 併せてTSMCは熊本県内に回路線幅6ナノメートルなどのロジック半導体を生産する第2工場の建設を決め...
ラピダス(東京都千代田区)などが参画する技術研究組合「最先端半導体技術センター(LSTC)」は、端末内で処理を完結するエッジAI(人工知能&...
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する最先端の半導体加工技術。回路パターンを描いたフォトマスクのわずかなキズや汚れ、歪みなどの欠陥は大量の...
回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)から国内最先端となる同6ナノメートルの高機能半導体までを生産し、自動車やイメージセンサー、高機能コンピューターなどの用途に供給する。...
劉氏によると、熊本工場では回路線幅12ナノ―28ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体を製造する。
サンプル注入口や検出器、電気基板の配置などの構造設計を見直して小型化し、横幅は同社従来機種比約35%減を実現した。... EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)...
ラピダスは回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の最先端のロジック半導体の量産に挑む。... 現在、日本が製造できるロジック半導体は線幅40ナノメートルにとどまる。... TSM...
最も注目されるのは、回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の最先端半導体の国産化を目指すラピダス(東京都千代田区)だ。
現在はさらに高精度な回路線幅の半導体への市場の要求に対応すべく、半導体製造装置の基幹部品をより高精度に加工する切削液の開発にも取り組む。
創業者で最高経営責任者(CEO)のウィリアム・リー(李斌)氏は同イベントで、このモデルにはNIOが自社開発した回路線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)...
「国内新工場はいずれもエピタキシャルウエハーの製造設備を導入し、回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端ロジック半導体向けが中心。
EUV露光装置は回路線幅7ナノメートル以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として先端半導体製造に不可欠となる。 ... 大日印/EUV評価用、3ナノメー...
米EFINIX(エフィニックス、カリフォルニア州、サミー・チャン最高経営責任者〈CEO〉)は、高速データ伝送に対応するプログラミング可能な集積回路(FPGA)の新製品「...
半導体の微細化が進む中、回路を形成するエッチング装置や回路の線幅などを測定する計測装置の重要性が増している。... 当社は半導体の回路線幅などを測定する測長SEMで世界シェア首位を占めており、非先端半...
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する半導体加工技術。