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産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の森貴洋新材料・機能インテグレーショングループ研究員らは、多結晶膜の新しい形成技術を開発し、n型の多結晶ゲルマニウムトランジスタの電流駆動力を従来比10倍...

東京工業大学大学院総合理工学研究科の舟窪浩教授らの研究グループは、一般的な圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛の単結晶膜を世界で初めて作製し、電気的エネルギーと機械的エネルギーの変換係数を直接測ることに...

今後、薄膜材料の種類を増やしたり、プラスチック上での高品質成膜を検討する。... 配向性のそろった薄膜結晶を得るには、結晶構造の似た単結晶基板の上で薄膜を作る必要があった。... 電気抵抗が0・36ミ...

不揮発性(電源を切っても内容が消えない)メモリーである相変化素子は、結晶(低抵抗状態)と非晶質(高抵抗状態)で抵抗が変化することを利用してデータを保持す...

研究では有機材料であるフタロシアニン分子の高品質な結晶膜を作製。... これによ り、フタロシアニン結晶中のホール(正孔)は自由電子の15倍の重さを持ち、分子間をゆっ...

また抵抗変化型不揮発性素子では、超格子結晶膜を用いた相変化デバイス(PCM)などを開発した。このPCM素子は、結晶構造の変化でデータを保持するもので、新材料の超格子結晶膜を採用したこと...

【千葉】ユーテック(千葉県流山市、本多祐二社長、04・7150・5731)は、「ニオブ酸カリウム・ナトリウム(KNN)」の多結晶膜の成膜技術を開発した。... 開発した...

シリコン基板上に高誘電体材料であるハフニウム酸化物の結晶膜を合成した絶縁膜で、低消費電力のLSIを作れるようになる。 ... 結晶成長を精密にコントロールする熱処理プロセスを取り入れ...

有機分子同士が自発的に重なって結晶を作る自己組織化の現象を利用する。... 通常、有機トランジスタには伝導度を低下させる結晶粒界が多く含まれるが、新開発の溶液プロセスで作製すると、結晶粒界の無い結晶膜...

続いて8月には同社製の同2―4インチ用のSiCインゴットを取り扱い、9月末からはエピタキシャル結晶膜付き3インチSiCウエハーの評価用サンプルの提供を始める。... SiCウエハーの結晶欠陥を表すマイ...

東京エレクトロンは炭化ケイ素(SiC)に対応したエピタキシャル膜成長装置を発売した。SiCを使ったウエハー上に結晶膜を形成する。

7月をめどに1100ミリ×1400ミリメートル角のガラス基板に均一な微結晶膜を作成できる大型装置を製造し、太陽電池メーカーと商談に入る。... 300ミリ×400ミリメートル角のガ...

東京エレクトロンは2010年から炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル成長膜製造装置を事業化。... SiCウエハー上に結晶膜を堆積(たいせき)成長させる化学気相成長...

新手法ではこの技術をベースに、非結晶化膜と結晶化膜の多層膜化により機能性薄膜を成膜する。... その後、この核形成層上に100度C以下の低温で結晶化した酸化チタンの膜を成膜する。 ... 「材...

カメラのレンズなどに使うフッ化カルシウム(蛍石)の結晶を基板にし、約4マイクロメートルのPZT単結晶膜を作製した。... 単結晶で膜を作製すれば、巨大な圧電特性が得られるようになる。ま...

不純物を添加しない酸化亜鉛の結晶膜をシリコン基板上に形成し、感度と応答性が高い受光素子をつくった。... 同社は酸化亜鉛が透明でPN接合のような結晶の乱れがないことに着目。温度や成長方法など適切な結晶...

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