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第55回十大新製品賞/本賞−ローム（2013/1/29）

この革新的なデバイスを機器に組み込みやすくするにはモジュール化が欠かせない。「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。... ...

茨城大、430度Cの耐熱性持つ鉛フリーのハンダ材料開発（2012/5/18）

圧力をかけて加熱するだけの単純なプロセスで、デバイスと基板を接合できる。... 炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体デバイスへの応用が見込め、航空機のエンジンや発電所など高温...

リケジョ小町(24)三菱電機・垣見梨菜(かきみ・りな)さん（2012/5/3）

垣見梨菜さん(27)は三菱電機の先端技術総合研究所(兵庫県尼崎市)で、次世代のパワー半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)デバイスのシミュレーション...

リケジョ小町(24)三菱電機・垣見梨菜さん（2012/5/3）

(総合1から続く) インバーターなどの性能を左右し、電力を制御するパワーデバイスの次世代材料である炭化ケイ素(SiC)の研究開発に取り組んでいます。....

富士電機、国内初SiCインバーター9月に量産（2012/4/5）

富士電機は4日、炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体を搭載した産業用インバーター「フレニック・メガGX―SiCシリーズ=写真」を9月に量産すると発表した。... SiCデバイス...

TIAナノ、高エネ機構と連携−放射光施設の利用が可能に（2012/3/29）

高エネ機構の施設を使えば、例えば炭化ケイ素(SiC)半導体の評価や、微小炭素材料であるカーボンナノチューブの解析などの研究が進むという。... すでに高密度集積回路(LSI&#...

パナソニックは炭化ケイ素(SiC)デバイスを使ったインバーター回路の部品点数を半減する技術を開発した。... SiCインバーター回路の大きさを2分の1にでき、コストと消費電力の削減が見...

三菱電、SiCデバイス使った太陽光発電用パワコン試作（2011/1/21）

三菱電機は20日、SiC(炭化ケイ素)デバイスを用いた太陽光発電システム向けのパワーコンディショナーを試作したと発表した。... SiCデバイスを使った定格1200ボルト、75アンぺア...

東芝、3年間で社会インフラ部門の研究開発に3000億円投資（2009/8/25）

逆にデジタルプロダクツは29%から25%、電子デバイスは44%から40%に下がる。... 例えばシリコンに比べ電力損失が少ないシリコン炭化ケイ素(SiC)...

三社電機と関西学院大、半導体材SiCデバイスを共同開発へ（2009/5/29）

三社電機製作所と関西学院大学は28日、次世代半導体材料の炭化ケイ素(SiC)デバイスの共同開発を始めると発表した。... 開発するのはSiCショットキーバリアーダイオード(Si...

三菱電機、2010年度からSiCパワーモジュール量産（2008/9/17）

(9面に関連記事) 試作段階だが、一般的なインバーターに使うSiの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に比べ電力損失を約50%低減したデバイスを...

ローム、本田技術研とSiCインバーターを共同開発（2008/9/12）

【京都】ロームは11日、本田技術研究所と共同で電気自動車やハイブリッド車向けに1200ボルト・230アンぺアクラスの炭化ケイ素(SiC)デバイスを搭載したインバーターモジュールを開発し...