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テクノロジー部門最優秀賞に選ばれたのは大阪大学大学院・滝野淳一さんらのGaN(窒化ガリウム)単結晶作製技術「OVPE法」の実用化。... ▽テクノロジー部門優秀賞=新感覚ナビゲ...

新日鉄、高性能パワー半導体向け6インチSiCウエハー開発（2011/12/7）

新日本製鉄は6日、高性能パワー半導体の量産・普及のカギとなる6インチ径の炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... 欠陥発生を抑える結晶成...

ちゅうごく産業創造センター、電子デバイスフォーラム（2011/11/28）

テーマはシリコンカーバイド(SiC)。講師は新日本製鉄の藤本辰雄主幹研究員「低損失パワーデバイスを実現するSiC単結晶基板」と、新エネルギー・産業技術総合開発機構の田中博英スマートコミ...

新日鉄、SiCウエハー事業加速−米クリーとライセンス契約（2011/4/26）

新日本製鉄は25日、半導体ウエハー大手の米クリーと炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの相互ライセンス契約を締結したと発表した。... 新日鉄はクリーと手を結ぶことで、クリーが全世界で持...

スマートグリッド/SiC事業化相次ぐ−シリコンの代替素材に（2010/6/1）

SiCはシリコンと違い、液体中で結晶を成長させることができず、結晶製造が難しい。現在はSiC粉末を2000度C以上の高温で昇華させ結晶化している。... 民間調査会社の矢野経済研究所が09年10月にま...

四つの講演を行い、結晶材料の最新動向を紹介する。新日本製鉄の藤本辰雄氏が「SiC単結晶基板の最近の開発動向」、日本結晶光学の山崎貴史氏が「CaF2結晶の最近の進展」、信光社の福士大吾氏が「サ...

ビーティーティーなど、SiC単結晶の切削工具開発に着手（2008/10/21）

SiCの単結晶ならエッジを1ナノメートル(ナノは10億分の1)以下と鋭利にできる。... SiCの単結晶はもろくて切削工具に不向きとされていたが、エッジを鋭利にして解決する。 ...