- トップ
- 検索結果
記事検索結果
442件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間:0.003秒)
GaNと熱膨張係数を一致させた窒化アルミニウムをコア層に用いる基板材料で、基板上にGaNの厚膜形成を可能とする。 Si基板上にGaNを結晶成長させる「GaNオンSi」で生じやすい反り...
大阪公立大学の梁剣波准教授、重川直輝教授らは東北大学などと共同で、ダイヤモンドを基板に用いた窒化ガリウム(GaN)トランジスタを作製した。... 研究チームはシリコン基板上にGaN層と...
パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムなどで使える。
GaN製造など4領域で成長 OKIが新事業の創出や拡大を急いでいる。... 次世代パワー半導体材料の窒化ガリウム(GaN)を低コストで製造するもので、次世代ディスプレ...
将来的には窒化ガリウム(GaN)や酸化ガリウム(Ga2O3)といった次世代の素材の加工も視野に入れる。
三菱ケミカルグループが手がける4インチの窒化ガリウム(GaN)基板などの製品を紹介した。
次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも性能で優れる。
三菱電機は第5世代通信(5G)のネットワーク拡大に対応するため、多数のアンテナ素子を用いる「massive MIMO(マッシブマイモ)」基地...
最小ゲート入力パルス幅1・25ナノ秒で、GaNデバイスを高速スイッチングできる。... 過電圧入力によるGaNデバイスの故障を防ぐ。ローム製のGaNデバイスと組み合わせて回路を構成することで、回路設計...
信越化学工業とOKIは、窒化ガリウム(GaN)成長用の複合材料基板からGaN機能層のみを剝離し、異種材料基板に接合する技術を共同開発した。GaNの縦型導電が可能となり、より大電流を制御...
AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高い可能性を有するという。
窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。... 電子を高速に移動できるGaNパワー半導体などにより...
さらに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体、高容量の電池などにアクセルを踏む」 「中期ではCNの関連投資を強化する。
今回認定されたSSS製品は、携帯電話基地局の消費電力低減に寄与する「高周波用途GaNエピタキシャルウエハ」、環境保全型農業の構築に資する「生物農薬(天敵昆虫)」、天然由来成分を独自に配...
窒化ガリウム(GaN)や窒化アルミニウム(AIN)でも開発を続け、ウエハーの量産を目指す。 炭化ケイ素(SiC)やGaNなどの化合物半...
ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ(SiP)を2種類開発し、販売を始めた。
体積99%・電力損失55%減 【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ...
ダイヤモンドや窒化ガリウム(GaN)のような半導体の中に孤立した状態で入り込んだ不純物原子は、一度のイベントで必ず一つの光子を放出する、すなわち、単一光子源として振る舞うことが発見され...