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記事検索結果
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同大が開発したスピントロニクス技術であるMTJ素子とシリコン技術を組み合わせて実現した。 ... 今回開発したメモリーのセルは、4個のトランジスタと2個のMTJから構成。そこに1ビッ...
MRAMのメモリー部である磁気トンネル接合(MTJ)素子のトンネル絶縁膜(酸化マグネシウム)層を、従来の一括作製法ではなく分割して作製する、新しい成膜プロセスを考案した...
【量産化技術に成功】 TMR効果を示す強磁性電極・トンネル絶縁膜・強磁性電極の三層構造からなる素子をTMR素子(またはMTJ素子)という。
記憶素子として使う磁気トンネル接合(MTJ)素子の構造を改良し、電源を切ってもデータを保てる不揮発性能を高めた。... MTJ素子は磁石の性質を持つ二つの磁性層(記録層と参照層...
MTJ素子に電流を流すと、二つの強磁性層の磁化方向がそろったり逆向きになったりする。... 従来のMTJ構造は、回路に組み込むトランジスタとの相性に難がある。... MTJ素子を駆動するメモリーセルの...
このため代替として注目されているのが、磁気トンネル接合(MTJ)素子などの磁性材料に電流を流すことで磁化方向が反転する現象を利用した記憶素子のスピン注入型MRAM。データの書き込み時に...
開発した素子は、通常は2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造の強磁性トンネル接合(MTJ)素子。... 二重トンネル障壁MTJの中間の強磁性膜の厚さは1・2ナノメートル(ナノは10億...
スピン注入方式は、絶縁膜を磁性体で挟んだ磁気トンネル接合素子(MTJ)に、電子スピンの方向をそろえた電流を流して磁化を反転させる。... コバルト・鉄・ボロンで構成したMTJの自由層の...
開発したMRAMは、セル(最小構成要素)をトランジスタ5個と直列につないだ磁気トンネル接合素子(MTJ)2個で構成する。面積は増えるが従来よりトランジスタを3個、MTJ...
東北大学は21日、スピントロニクス技術の磁気トンネル接合(MTJ)素子とシリコン素子を組み合わせた不揮発性の集積回路(IC)を作製、動作実証に成功したと発表した。......
