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記事検索結果
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インターポーザーは平面に並べた複数の半導体チップとパッケージ基板をつないだり、DRAMチップを積層した広帯域メモリー(HBM)とプロセッサーを接続したりするための中継部材。
DRAMも層を縦に積み上げる縦型化が進むだろう」 ―技術の変化をシェア向上の好機と捉えています。
「人工知能(AI)をキーとしてDRAM需要が少し上がるなど底を打った感はあるが、半導体市場全体が回復してきたという感じはまだない。
「DRAMは7―9月に底打ちしたとみている。... DRAMに占める比率はまだ小さいが、引き合いが急増している。... ただDRAMとロジックの投資はAIサーバーの増加などを背景に、2024年夏ごろか...
また、現在の生成人工知能(AI)ブームにうまく乗れた短期記憶が用途のDRAMと違い、長期記憶が用途のNAND型フラッシュメモリーはそこまでの恩恵は得られないという見方もある。 ...
メモリーのうちDRAMは人工知能(AI)向けなどの特需で足元で回復基調にあり、NAND型フラッシュメモリーの市況も年内には底打ちするとの観測があるが、V字回復には遠い。
そのために使用されるのがHBMと呼ばれる高速・大容量メモリー(DRAM)である。 ... HBMでは韓国のDRAM大手であるSKハイニックスやサムスン電子が強い。...
マイクロンが2025年12月―26年2月の出荷を目指している、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産に最大1670億円、同半導体を積層した先端DRA...
半導体在庫調整進む パソコンやスマートフォン用のメモリーなどとして使われるDRAMの価格は2021年10―12月以降、下落が続いていたが、24年1―3月を境に上昇...
「(メモリー半導体のうち短期記憶を担う)DRAMで顧客の在庫調整が進んで来たと聞く。
DRAMで(現行の主流品であるDDR4型より処理速度が速い)DDR5への転換が本格化し、NANDの積層数も増加する」などと期待を示した。
【広島】米マイクロン・テクノロジーは22日、日本と台湾で導入を計画するEUV(極端紫外線)技術に関連し、次世代のDRAM製品の生産開始時期について台湾で2025年、日本では26年とする...
パソコン回復遅れ懸念 パソコン(PC)やスマートフォン用のメモリーとして使われるDRAMの価格は2021年10―12月以降、下落が続いている。... メモリーはDRA...
高誘電材料は、主に半導体メモリーの一つであるDRAM向けの材料。... DRAMは大手半導体メーカーなどにより高性能化に向けた開発が進む。
データセンター向けのGPUは、HBMなどの3次元(3D)実装DRAMメモリー半導体とともに使われる。これら高速DRAMの需要も拡大が予想されるため、プラスの効果は他の製造装置メーカーに...
トレンドフォースによると、DRAMの世界生産全体に占める韓国の割合は、2023年に64%へと上昇する見込み。... 人工知能(AI)や自動運転車などデータ集約型技術が台頭する世...
4―6月、底打ちの可能性 DRAM価格は、パソコン(PC)とスマートフォン向けの需要が回復せず、下落が続いている。... 英調査会社オムディアは2023年のDRAM全...