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記事検索結果
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半導体を使った新しい外部記憶装置「SSD」が台頭し、HDD市場が縮小していることが背景にある。... 買収対象となったサンディスクは「NAND」型と呼ばれるフラッシュメモリー(記憶素子)...
記憶素子を積層する3次元(3D)構造の先端NAND型フラッシュメモリーの専用棟として2016年1―3月に生産を始める計画。
一方、半導体事業は電源用集積回路(IC)や記憶素子(メモリー)の「EEPROM」など、特定領域における技術力が強み。
記憶素子を垂直に積層する3次元(3D)構造を採用したNAND型フラッシュメモリーを採用したSSDで、フォームファクター「M・2=写真」「mSATA」に対応させた。... M・2...
米インテルと米マイクロンテクノロジーは、記憶素子を垂直に積層する3次元(3D)構造を採用したNAND型フラッシュメモリーを共同開発し、サンプル出荷を始めた。... 記憶容量は32ギガバ...
東芝は26日、記憶素子を垂直に積層する3次元(3D)構造を採用したNAND型フラッシュメモリーのサンプル出荷を始めたと発表した。... 3D構造技術を導入する目的は複数あるが、一番の狙...
足元では電源用集積回路(IC)や記憶素子(メモリー)の「EEPROM」など主力製品がスマートフォン、車載など向けに好調を維持。
一方のサムスンは記憶素子を垂直に積載する3次元(3D)構造技術を優先し、13年8月に量産を始めた。 3Dは微細化に代わる新技術で、記憶容量を大幅に増やせる。... 3...
同メモリーはスマートフォン向けのほか、記憶装置のSSD(ソリッドステートドライブ)向けに需要が拡大している。... 新工場では記憶素子を垂直に積層する3次元(3D)構造...
記憶素子を垂直に積載する3次元(3D)構造を採用して機能向上を図るもので、サムスンが世界で初めて実用化した。... これまで各社はチップ上の回路の線幅を狭くする微細化を進め記憶容量を増...
半導体を用いた記憶装置のSSD(ソリッド・ステート・ドライブ)。... それは半導体の記憶素子を垂直に積載する3次元(3D)技術。同技術の採用により、「大幅に記憶容量を...
記憶素子を垂直に積載する3次元(3D)構造を採用した先端のNAND型フラッシュメモリーを組み込んだSSDを韓国サムスン電子が1日に発表。... 一方、どのように記憶容量を増やすかが課題...
記憶素子を垂直に積載する3次元(3D)構造を採用した先端のNAND型フラッシュメモリーを組み込んだ製品が目玉。... 10年保証で記憶容量は128ギガバイト、256ギガバイト、512ギ...
足元ではスマートフォン市場の拡大を受け電源用集積回路(IC)や記憶素子(メモリー)の一種である「EEPROM」が好調。
記憶素子(メモリー)系と演算素子(ロジック)系それぞれの半導体メーカーで新規顧客を1社ずつ開拓し、ArF液浸分野でのシェアを16年3月期に30%に引き上げる計画...
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の寒川誠二教授の研究グループは、東京エレクトロンと共同で、次世代記憶素子である磁気抵抗メモリー(MRAM)デバイスを精度良く加工する新しいエッチング...
複数チップを積み重ねて記憶容量を高める立体構造の記憶素子(NAND型フラッシュメモリー)を2015年度に量産する。... 立体構造型は従来の平面メモリーに比べ、記憶容量を大幅に高められ...
量産を始める回路線幅15ナノメートルのNAND型フラッシュメモリーは、一つの記憶素子に2ビットの情報を読み込める「2ビットセル」で、記憶容量は128ギガビット。... この3D技術は素子を垂直に積載す...
