これにより、半導体の露光工程が簡略化され、10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下という微細な半導体回路パターン形成の実用化に近づく。... 従来、半導体露光技術は露光する光の波長を...

同一の露光装置を使う場合、従来より露光時間を約40%短縮できるという。... 露光時間短縮による生産効率の向上を訴求することで拡販する方針で、受注状況を見て中国などの能力増強も検討する。...

半導体メーカーに発光ダイオード(LED)用のサファイアウエハーの評価や露光工程のフォトマスクのリサイクル評価を提案する。

半導体の露光工程で利用するフォトレジストの需要が回復している。... 今年から本格的に立ち上がる線幅(ハーフピッチ)45ナノメートル世代には、露光装置のレンズとシリコンウエハーの間を水...

【ステッパー不要】 洗浄や露光、化学気相成長(CVD)などの工程で使う各製造装置は30センチメートル角に収め、価格は1台100万―500万円を想定。... 1チップ単位で製造す...

洗浄や露光工程で使う装置は30センチメートル角に小型化し、価格は1台100万―500万円を見込む。ウエハーの切断工程が省けるので工程数が大幅に減るほか、製造装置内を局所的に無塵化するため大規模なクリー...

従来の同構造では2種類の高誘電率膜をつけるため、「窒化けい素/窒化チタン構造」のハードマスクを使うことと、露光工程を2回行う必要があった。... 今回、この露光工程を1回に減らしプロセスの最...

その一方で、ナノメートルの世界へと技術の複雑化が進む生産工程のリードタイム短縮は困難。露光工程が30ステップ以上に及ぶシステムLSIだと、生産スケジュールを考えれば2、3カ月はかかってしまうという。

露光工程は半導体微細化の鍵を握る。東京エレクトロンは露光工程に付随する製造装置のトップメーカーで、最新の露光装置に対応した技術・製品の開発を加速する。 ... 東京エレクトロンは露光工程に用い...

微細化のカギを握る露光工程でフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光技術を用いる。露光装置の投影レンズとウエハーの間に純水を満たして光の屈折率を高め明るさを表す開口数(...

半導体素子を形成するためのそれぞれの工程では専用の製造装置を使うが、中でも露光工程が微細化のカギを握ると言って良い。... 露光装置が置かれる製造前工程ラインは、工場棟のクリーンルーム内にあり室温のほ...

同30ナノメートル世代では、半導体回路をウエハーに焼き付ける露光工程に2回露光(ダブルパターニング)を採用する。ダブルパターニングは1台当たりの装置費用が高価なフッ化アルゴン(...

露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...

その自己配向性を利用することで、塗布と加熱の2工程のみで形成が可能となる。従来の重合性液晶を用いた方式に比べて製造工程を3分の1と大幅に簡略化でき、プロセスコストの削減が可能になる。... インセル方...

半導体の露光工程で使用する感光剤(レジスト)を濾過する。

NANDフラッシュの価格急落で、DRAMに生産ラインを切り替える懸念があったが、DRAMは露光工程がNANDフラッシュの倍近くあることから、生産ラインを切り替えると能力が半減してしまう。

量産では半導体回路をウエハーに焼き付ける露光工程に、フッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を用いた2回露光(ダブルパターニング)方を採用する方針。解像度を高めたArF液浸...

2010年の実用化が見込まれるチップ上の回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体は、露光工程に露光を2回実施して微細な回路パターンを描く「ダブルパタ...

2013年ごろ実用化する20ナノメートル世代は量産ラインでの露光工程が課題に挙がる。... その結果、回路線幅20ナノメートル世代では回路をウエハーに焼き付ける露光工程に技術的、事業的な課題があること...

32ナノメートルプロセスのポイントになるのは回路をウエハーに焼き付ける露光工程だ。 ... 1回目の露光でレジストパターンを凍結させ、直後に2回目の露光を実施する。露光と露光の間に行う感光部を...