微細な配線の形成に使うフッ化アルゴン(ArF)液浸レジスト用ステッパー(露光装置)は、1台の価格が約50億円する。18年までに直径450ミリメートルの半導体シリコンウエ...

ニコンは直径450ミリメートルウエハーに対応した次世代の露光装置を2017年にも投入する。同じく次世代機として期待されている極紫外線(EUV)露光装置は18年からの本格量産が予想されて...

極紫外線(EUV)露光装置など次世代機の研究開発費を提供する。... EUV露光装置の開発を急いできた。 ... その戦略は奏功してきたが、EUVの導入が早まれば、半...

ニコンは光源に極端紫外線(EUV)を使った半導体露光装置の市場投入が早くても2015年以降になることを明らかにした。... EUV露光装置は回路線幅16ナノメートル(ナノは10...

材料開発には実際の露光装置を使用した試験が必要で、この回数を増やすことが開発スピードを左右する。このため実際にEUV露光装置を持つ、米国の半導体製造技術研究組合のSEMATECHなどのコンソーシアムと...

しかし、その先の微細化では、EUV露光技術が本命視されている。... レジストメーカーがフォトレジストを開発するには露光装置などを自社でそろえる必要がある。ただ、EUV露光装置は1台約100億円前後で...

JSRは18日、米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH(セマテック)が行っている極端紫外線(EUV)リソグラフィー技術の開発プログラムに参加したと発表した。...

ニコンは17日、都内で露光装置に関する説明会を開き、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF...

東芝と産業技術総合研究所は15日、LSI製造時に使う液浸フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー露光装置の性能を高める技術を共同開発したと発表した。... 同装置は従来、30ナノメート...

【横浜】神奈川大学の西久保忠臣教授はEUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを完成、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターンを作成することに成...

東芝は次世代EUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを開発した。... 従来開発済みだったポジ型に加えて、より高解像度に向いたEUV世代対応のネガ型レジストを開発した。&...

同社のロン・クールEUV担当副社長は、日刊工業新聞のインタビューに応じ、EUV露光装置を着実に市場投入するため、周辺装置メーカーと技術面で協力していく方針を明らかにした。... EUVをArF液浸装置...

ニコンは次世代半導体製造に利用する極端紫外線(EUV)光源の露光装置の開発を見直す。... 線幅22ナノメートル以降でEUV露光装置を見据えている。 ... EUV露光装置は真...

半導体製造装置に用い、ハーフピッチ22ナノメートルを可能とする極端紫外線(EUV)露光装置用マスクブランクスの商業化を加速化させ、2013年ころの実用化を目指す。両社で欠陥のないEUV...

だが、このEUV露光は克服すべき技術課題が多い。... 1時間当たりのウエハー処理枚数を表すスループットを100枚以上にでき、EUV露光装置を量産ラインで用いることが可能になる。 ... Ar...

露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...

半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。... このため、波長が13・5ナノメートルと短いEUVを露光光源...

オランダのASMLは2010年に、光源に極端紫外線(EUV)を採用した半導体露光装置「NXE 3100」を市場投入する計画を明らかにした。... EUV露光装置はニコンとキヤノ...

EUV露光装置は現状では光源出力100ワット程度にとどまるが、光源にレーザー生成プラズマ(LPP)を採用し09年半ばに出力を200―210ワットに引き上げる。... IMECはオランダ...

量産を始めた43ナノメートルプロセスは、露光装置に投影レンズとウエハー間に純水を用いて解像度を上げる液浸露光を用いている。一段と微細化した次世代半導体は、液浸での2回露光(ダブルパターニング&...