「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。... 例えば人員や開発リソースの増加分は、ほとんどがSiCに向けられている。設備や生産の強化も加...

高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の駆動、変換器のモーター制御など、各部門が持つ専門技術を“通訳”するような役割だった」 ...

富士電機は従来のシリコン製パワー半導体に比べ、電力損失を約8割低減できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を開発した。... 同回路の密度を高めることで抵抗値を下げたほか、使うSiCウエ...

【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)を使った「フルSiCパワーモジュール」に、大電流に対応した機種(写真)を追加した。同モジュールは、内蔵する全てのパワー半導体素子にS...

「パワートレーン分野では電気自動車(EV)向けインバーターで炭化ケイ素(SiC)デバイスの搭載が増加する。... インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポ...

GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。... 富士電機などはMOSFETを作製。素子の性能指標となる移動度はSiCパワー半導体より高く、動作に実用上必要な正...

【京都】京都府立医科大学と福島SiC応用技研(福島県いわき市、古久保雄二社長、0246・38・3868)は22日、炭化ケイ素(SiC)デバイスを活用したホウ素中性子捕捉...

ロームは産業機器の補機電源向けに適した1700ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「SCT2H12NZ=写真」を...

【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...

【ローム/トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ■オン抵抗低減で消費電力大幅減■ トレンチ(溝)構造を採用した、炭化ケイ素&#...

ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。次世代のパワー半導体と...

【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... Si...

同ICの投入で、SiC・MOSFETの電源での採用を加速したい考え。 同社では産業用に交流400ボルト前後の電圧を使う欧州など向けで、SiC・MOSFETの高耐圧という特性が生かせる...

トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...

15年度も第7世代IGBTや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品を積極投入する計画。... SiCパワー半導体を巡っては、13年に松本工場(長野県松本市...

業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

とりわけSiCでは、すでに一部実用化がスタートした。 ... 同社はダイオードとトランジスタの両方にSiCを用いたフルSiCパワー半導体を搭載した鉄道車両用インバーターを世界で初めて...

同社は世界で初めてSiCでMOSFETの量産を始めた。... ロームは10年から、シリコン製に比べスイッチング損失などが少ないSiCによるMOSFETの量産をはじめた。... SiC製MOSFETは、...

三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... 三菱電機が開発したパワー半導体は製品名...

パワコンの昇圧回路やインバーター回路などに、電力損失の少ないSiC半導体を搭載。... パワコンの昇圧回路とインバーター回路に、SiC製のショットキーバリアーダイオードを搭載。インバーター回路のスイッ...