GAAトランジスタはチャネルの4面すべてをゲート電極で覆い微細化で問題になるリーク電流を防ぐ。... 産総研はGAAトランジスタをシリコンとゲルマニウムの異種材料で作るなどの研究実績がある。 ...

シート状チャネルをゲート電極ですべて囲む積層型GAAトランジスタ構造を設計した。... 縦方向に積層したGAAトランジスタは垂直配線で接続する。... 2ナノメートル世代のGAAトランジスタはラピダス...

3ナノメートルや2ナノメートルプロセスでは、現在主流の3次元構造を持つFin電界効果トランジスタ(FET)に代わり、チャネルの四つの面を囲むようにゲート電極を配置したトランジスタ「ナノ...

研究チームはマイクロ流路を備えた溶液センサーに特化した二硫化モリブデン製の電界効果トランジスタを作製。

窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。

波動関数によるこの超高速磁化制御法は、磁性金属材料を用いてキャリア濃度を変化させる従来法に比べて、トランジスタ技術と整合性が高いため、次世代デバイスに新たな機能を加えられる。

既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。

既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。... ...

車体軽量化に伴う材料の変化のほか、シリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体需要の拡大を見据えたマシン開発を推進する。

グラフェン発見を契機として、遷移金属ダイカルコゲナイドや六方晶窒化ホウ素など、グラフェンにはない物理特性を持つ非常に多くの2次元材料が登場、トランジスタ、発光/受光デバイスなどさまざまな機能...

量子コンピューターの性能向上 産業技術総合研究所の稲葉工研究員と岡博史研究員、森貴洋研究グループ長らは、量子ビット制御に用いる極低温トランジスタは原子位置の乱れがノイズ源になることを...

そのおかげで産業界がSiCの半導体ダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を大量に製造できた。

トランジスタ自体が小さいため、バイオセンサーの小型化も見込める。

EVで一般的なシリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体の量産を25年に始める。

ロームは1200ボルト耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「RGAシリーズ」が、独セミクロンダンフォス(ニュルンベルク市)のパワーモジュール製品に採用され...

ただ、ロームが10年に世界初のSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産に成功していることや、SiCウエハーでは旧・新日本製鉄(現・日本製鉄)が多...

電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...

この克服に向け、その基本要素であるトランジスタの構造をこれまでの平面的な構造から立体的な構造にして、実効的な専有面積を小さくする方向に開発が進む。 最近では2ナノメートル(ナ...

現行のコンピューターに例えるとトランジスタや演算回路が見えてきた段階にあたる。