ニューモニクス(本社スイス)は回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した1ギガビット相変化メモリー(PCM)を2010年に出荷する...

こうした中、注目を集めるのが相変化メモリー(PRAM)や磁気抵抗メモリー(MRAM)。

結晶構造は、温度を高めたりすると最初のγ相と呼ばれる構造からθ相を経て、最後にはα相に変化する。... このため、相変化の促進が重要となるが、通常の熱処理ではアルミ以外に相変化を抑制するコバルト、ニッ...

「記録方式の変化を受けて、ターゲット材の組成変化にいかに対応していけるか。... また、同じく次世代メモリーである相変化メモリー(PCRAM)も「光記録材料向けに近いものがある。

帝人のメタ型アラミド繊維マスクに温度調節機能材としてPCM(相変化物質)を装着した。... 帝健がサンプルを70度Cで加温した時のマスク内側の温度変化は、120分後でも40度C以下の体...

ニューモニクスは相変化メモリー(PRAM)などに力を入れており、こうした次世代技術の共同開発などが戦略に含まれているのだろう」 【略歴】78年(昭53)...

また、2層化しても高速記録に対応する新しい相変化記録材料と、中間層の均一形成を可能にした記録膜構造を採用した。

NECと富士通の両グループ、東芝などは磁気抵抗を用いた「MRAM」の研究開発を進めるほか、エルピーダメモリは相変化膜を用いた「PRAM」に的を絞りつつある。... このため、20ナノメートル世代から先...

また、すべてのマイコンにフラッシュメモリーを搭載しているが、今後、回路微細化を一段と進めて、高度な処理を行う際にはフラッシュメモリーの代わりに、磁気抵抗を用いたMRAMや相変化膜を用いたPRAMなどの...

相変化膜を用いた『PRAM』も業界では有力視されているが、混載メモリーを考えた場合に速度と書き換え回数でMRAMの方が優れていると思う」 ―回路の微細化について考え方をうかがいます。

2012年には相変化メモリーも含めた抵抗変化型メモリーに置き換える。技術提携先のキマンダは相変化膜を用いた『PRAM』や磁気抵抗を用いた『MRAM』の技術を持っており、研究開発コストを分担していきたい...

このため、DRAMに採用するキャパシターを相変化膜に置き換える。 ... DVDディスクなどに用いる相変化記録技術を半導体メモリーに用いる。熱を加えることで結晶と一定の形状を持たないアモルファ...

「援助のみの関係から、援助と投資双方の関係になりつつある」(甘利明経産相)変化を反映。... このため本業をITから小売りにシフトし、デパートを開店した」と、急速に中産階級が増えている...

この光の特性から、ナノスケールの領域で、ピコ秒の構造変化を追うことができる。... 例えば、コンピューター用の大容量記憶装置のDVD―RAMでは、ディスク上のゲルマニウム、スズ、テレル(GeS...

エルピーダとUMCは07年秋にDRAMと相変化メモリー(PRAM)の共同開発に合意。

18度Cの融点で相変化する蓄熱材をキーパーツに採用、夜間電力で蓄熱し昼間の冷暖房に使うことで低ランニングコストを実現した。

原因をとりのぞく改善策を施すことで、ナノ秒(ナノは10億分の1)単位の高速でX線が検出できるようになり、たんぱく質の挙動観察や相変化型光ディスクの開発などにつながることを期待している。