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記事検索結果
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先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載し、電力損失とノイズを低減したことが特徴。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを1チップ化した「RC―IGBT」を搭載するなどし、チップサイズを小さくしたり、チップ同士の間隔を狭めたりしてパッケージを小型化...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... トレ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 15年度も第7世代IGBTや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
ラピスでは、もう一つの生産拠点であるラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎市)でも、パワー半導体である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の生産増強に取り組んでいる。&...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 例えば窒化ケイ素...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲ...
だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、電気自動車(EV)や風力発電、鉄道など各種産業分野に応用さ...
だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、次世代自動車や発電、鉄道など産業分野への利用が進む。
独自構造のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の搭載や、冷却フィン一体の直接水冷構造の採用により、インバーターを低消費電力化できるようにした。
