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蘭ASMLのクリストフ・フーケ副社長は、ラピダスがパイロットラインを立ち上げる2025年までに極端紫外線(EUV)露光装置の導入準備を進めるほか、台湾積体電路製造(TSMC&#...

フッ化アルゴン(ArF)などEUVよりも旧世代の光源に多く使われており、自動車や産業機器など幅広い製品に搭載される半導体の製造に用いることから、中長期的な需要拡大が見込まれる。 ...

一方、ArF液浸などEUV以外の露光装置の今期の売上高見通しを引き上げた。... 一方、先端のEUV露光装置は一服感が目立つ。... EUV露光装置を設置するための熟練工も不足している模様だ。

EUV露光用部材増強 ―事業環境の認識は。 ... (中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)...

ニュース拡大鏡/JSR、産業革新投資機構傘下で非上場化 構造改革推進 (2023/6/27 素材・建設・環境・エネルギー1)

実際にJSRは21年には極端紫外線(EUV)の露光効率を高める金属系レジストを製造する米インプリアを約450億円で買収。

電子回路の微細化に対応するため、リソグラフィーの露光波長の短波長化が進み、現在は波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の極端紫外線(EUV)を使ったEUVリソグ...

ADEKA、千葉工場を増強 EUVフォトレジスト向け材料の生産能力2倍 (2023/5/30 素材・建設・環境・エネルギー2)

ADEKAは千葉工場(千葉県市原市)でEUV(極端紫外線)フォトレジスト向け材料の生産設備を増設した。... フォトレジストの開始剤として使用され、...

EUVリソグラフィー技術は、量子科学技術研究開発機構(QST)も含む、大学、研究機関、企業での10年以上をかけた研究開発を経て実用化されている。 ... 物質を透過し...

【広島】米マイクロン・テクノロジーは22日、日本と台湾で導入を計画するEUV(極端紫外線)技術に関連し、次世代のDRAM製品の生産開始時期について台湾で2025年、日本では26年とする...

マイクロンはEUV(極端紫外線)技術を導入し、次世代DRAMを開発・量産する。EUV技術の導入は日本で初めてという。

ウシオ電機、戦略投資400億円超 (2023/5/17 電機・電子部品・情報・通信2)

極端紫外線(EUV)マスク検査用光源などのインダストリアルプロセス事業の強化や、紫外線治療機器を含むライフサイエンス事業を新たな経営の柱に育てる。

AGCがEUV露光用部材増産 福島に新ライン、生産能力30%増 (2023/4/28 素材・建設・環境・エネルギー)

AGCは27日、半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの生産能力について、2025年までに現在と比べ約30%増にすると発表した。... AGCでは17年に...

3月には北海道千歳市に新工場の建設を決めたほか、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関imec(アイメック)と次世代半導体の微細加工に必要な極端紫外線(EUV)露光技術...

次世代半導体微細加工向け 最先端半導体の開発製造会社のRapidus(ラピダス、東京都千代田区、小池淳義社長)は4日、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関であるim...

1ケタナノメートル台の半導体を製造するのに欠かせない極端紫外線(EUV)のマスク用防護カバー製造装置やEUV用に設計された塗布・現像装置などが対象になる。EUVの1世代前「ArF液浸」...

一方、JSRや東京応化工業、住友化学などが展開する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでは、輸出管理厳格化の影響はほとんどなかったようだ。... フォトレジストは日本企業が世界シ...

最新機種のCG7300は極端紫外線(EUV)露光装置を用いる最先端半導体の量産ラインへの導入を目指し18年に開発を始めた。

EUV露光装置を手がけるASMLの22年10―12月期の営業利益は同約4%増の21億2400万ユーロ(約3027億円)。EUVに次ぐ微細加工が可能なArF液浸露光装置でシェア2...

ASMLは1ケタナノメートル台の半導体製造に不可欠なEUV(極端紫外線)露光装置で世界シェアを独占する。... 例えば、EUVより一世代前の「ArF液浸」露光装置はニコンが世界シェアの...

次世代材料では最先端の極端紫外線(EUV)露光に対応したフォトレジスト用ポリマーや「有機金属プリカーサー」などを開発している。... EUVレジスト用ポリマーや有機金属プリカーサー、パ...

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