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微細化需要の高まりを背景にEUV(極端紫外線)露光工程の導入拡大が見込まれる一方、EUVは従来の露光方法と比べて回路線幅のばらつきが生じやすいなどの課題がある。
これから半導体産業の成長が期待される国でのシェア獲得と、極端紫外線(EUV)向けへの供給も今後は想定し、研究開発を推し進める。
新機能付与/少量多品種を製造 半導体の超微細加工の光源としてEUV(極端紫外線)レーザーの開発が進むことを前回紹介した。
半導体回路の微細化に寄与する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストなどが好調なJSRは、今後も半導体材料を中心に高成長が続くと見込み、22年3月期連結業績予想を上方修正した。
フォトレジストは極端紫外線(EUV)向けが年内にも量産開始の見通しであるなど、市場環境を踏まえた製品開発で半導体業界の発展を支える。
「現在開発を進めている極端紫外線(EUV)レジストは年内にも量産できるだろう」という。
同社は半導体製造初期に用いられた波長436ナノメートル(ナノは10億分の1)のスペクトル線を示すG線から現在の同13・5ナノメートルの極端紫外線(EUV)向けまで、業界...
開発中の極端紫外線(EUV)レジストは2021年内にも量産が始まる見通し。
最先端の極端紫外線(EUV)向けでもBARC同様にレジストと基板の間に塗布するEUV下層膜を展開。
また同工場で、2021年度中にEUV(極端紫外線)レジスト用ポリマーが生産できるパイロット設備を稼働する予定で、半導体先端技術への対応を進める。
最先端のEUV(極端紫外線)レジスト用モノマーも、レジストメーカーの採用が徐々に拡大している。
大阪工場では既存建屋に液浸ArFと極端紫外線(EUV)レジストの製造設備を増設し、23年度上期に稼働する。
最も競争が激しいのは極端紫外線(EUV)露光プロセスで、JSRや住友化学などフォトレジスト各社は開発体制を強化している。
ArF(フッ化アルゴン)液浸露光向けを中心に販売は好調で、今後は5Gなどの普及で需要増加が見込まれる最先端の極端紫外線(EUV)露光向けを拡販する。
「極端紫外線(EUV)など先端材料に加え、フッ化クリプトン(KrF)をはじめ既存材料も伸びた」と手応え。
【シングルナノ】 同社は半導体回路の微細化に伴う光源の短波長化に合わせ、次世代技術とされる極端紫外線(EUV)を含むあらゆる光源に対応してきた。
同社は液浸ArFの次の極端紫外線(EUV)露光用レジストで出遅れていたが、最近は「複数社に採用が決まり、追い上げができてきた」(勝田修之電子材料事業部長)と手応えを語る...
最先端の極端紫外線(EUV)向けフォトレジスト樹脂材に、不純物が混ざらない低メタル化技術を進展させる。