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記事検索結果
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まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。
産業技術総合研究所は従来のシリコン材料では不可能な、16キロボルトの高電圧に耐える炭化ケイ素(SiC)パワー半導体トランジスタを開発した。... 先進パワーエレクトロニクス研究センター...
SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...
独自開発した最先端の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を初めて搭載し、白物家電向けでは業界トップクラスの低消費電力を実現した。
現在の生産体制は日立の臨海工場(茨城県日立市)で高圧IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を、原町電子の原町工場(福島県南相馬市)でトランジスタ関...
開発したのはシリコン―IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールで、架線から供給される直流電圧をモーター駆動用の交流電圧に変換するためのインバーターなどに搭載する。 ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を6素子搭載し小型化を実現しており、2素子搭載の従来製品を三つ使用した場合と比べ実装面積で、約80%に縮小できるという。 &...
最新の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載、従来製品より損失を約10%低減。... 放熱性の高い絶縁シート構造を採用し外形サイズは31×52・5ミリメー...
ロームは高速スイッチング性能と低電流から大電流までの省エネルギー特性を兼ね備えたトランジスタ「ハイブリッドMOS」を完成した。スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―...
「耐熱性と強度を高めることで、半導体などに使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やスイッチの材料も提供できる」と確信する。
今後300ミリメートルウエハーの技術を量産拠点のドレスデンに移管し、まずは容量が小さい高電圧トランジスタを生産する。将来は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など大容量品にも導...
オーストリア・フィラッハの拠点で直径300ミリメートルウエハー技術を用いて、高電圧トランジスタ「CoolMOS」を生産、2月に一部顧客に納入を始めた。... 日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトラ...
しかしモジュールに採用する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の既存製品は、逆方向に電圧をかけると壊れる可能性がある。
ルネサスエレクトロニクスは、保護機能を内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)駆動用フォトカプラ(写真)を開発した。... インバーターに搭載してモーターを...
「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。これまでダイオードのみSiC製の“ハイブリッド”モジュールは存在したが、SiC製トランジスタは量産が難し...
