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84件中、5ページ目 81〜84件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.002秒)
ローム、SiC製パワー半導体の大容量化に成功 （2009/10/8）
【京都】ロームと京都大学大学院工学研究科木本恒暢教授は7日、炭化ケイ素(SiC)製トランジスタ「トレンチゲート縦型MOSFET」の大容量化に成功したと発表した。... SiC素製半導体...
ニッポン開拓(6)インフィニオンテクノロジーズジャパン社長・森康明氏 （2009/8/24）
MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)などのパワー半導体やセンサーの単品売りで評価されてきた。... ダイオードで実用化した炭化ケイ素(SiC)の技術も優...
三菱電機、2010年度からSiCパワーモジュール量産 （2008/9/17）
近くサンプル出荷する予定で、金属酸化膜電解トランジスタ(MOSFET)に駆動回路などを組み合わせ、インバーターなどを製品化する。SiCはシリコン(Si)に比べ電力損失が...
京大、電力損失10分の1以下の炭化シリコンMOSFETを作製 （2008/5/20）
京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。p型領域を加えた新...
