今回、ここに回転式α線連続測定装置を設置し、シリコン半導体検出器を用いてRf―261とSg―265のα壊変や核分裂壊変を検出した。

シリコン半導体を使って光回路を作製する「シリコンフォトニクス」と呼ぶ最新技術を使い、現在の石英製光スイッチに比べて約100分の1に小型化する。... 130ナノメートル(ナノは10億分の1&#...

慶応義塾大学の伊藤公平教授は英オックスフォード大学などと共同で、シリコン半導体を使った量子コンピューターの実現に向けた基本技術を開発した。シリコン中で量子計算に不可欠なエンタングルメント(量子...

物質・材料研究機構は千葉大学など4大学と共同で、次世代の微細シリコン素子を高性能化するための電極の形成手法を開発した。シリコン基板に不純物を加えない新しい電極の形成法で、安定した電極構造を作れるように...

高品質GaN結晶をサファイア基板上に形成(写真)し、シリコンパワーダイオードに比べて電力機器の電力損失を半減でき、600Vの耐圧性も確保した。... 家電、産業モーターなどの制御用半導...

同ワイヤはシリコンに代わる有望な半導体材料で、次世代の縦型立体構造トランジスタや、高効率の太陽電池へ応用が進むと期待される。... ゲルマニウム半導体は、シリコン半導体を上回る性能を持つ。

【京都】大日本スクリーン製造は24日、発光ダイオード(LED)やパワー半導体向けに機能を絞り込んだバッチ式洗浄装置「コンパクトウエットステーションCW―1500=写真」を7月に...

英ユニバーシティー・カレッジ・ロンドン、サリー大学、オランダ・FOMプラズマ物理学研究所などの英蘭チームは、一般的なシリコン半導体の中で原子の量子重ね合わせ状態を制御することに成功した。... 研究チ...

炭化ケイ素(SiC)は次世代の半導体材料として、電力素子や発光素子用に期待されていますが、焼結体の製造プロセス中で金属不純物が入りやすく、また硬度が高いことから加工が困難でした。......

NECは電気信号を光信号に変換する効率を従来比10倍に高めた最高性能のシリコン光変調器を開発した。現在のLSIのトランジスタが採用する金属酸化膜半導体(MOS)構造を、シリコンの光集積...

ガリウムヒ素と違い、Geはそのままではレーザー光を発しないが、シリコン層の上に載せたゲルマニウム層に不純物としてリンをドーピングすることで余分な外殻電子が励起され、発光状態になるようにした。材料が高価...

昭和電工は8日、表面粗度が0・4ナノメートル(ナノは10億分の1)で直径4インチのパワー半導体炭化シリコン(SiC)エピタキシャルウエハーの量産に成功したと発表した。....

トランジスタの発明から約60年、今日の情報化社会はシリコン半導体の発展とともに歩んできた。... ネオシリコン作製は既存の半導体製造設備を応用する。... シリコン製半導体レーザーの実現へ大きく前進し...

シリコン半導体の光回路(シリコンフォトニクス)で波長可変光源を作製した例は初めて。リング状のシリコン製共振器を二つ重ね、片方を100度C近くまで加熱して波長特性を変化させる。 ...

SiCはシリコンに比べて絶縁破壊強度が約10倍大きく、電力変換器を効率化する次世代パワー半導体材料として有力。... 日立国際は絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成するSOI(シリコン・オン・イ...

産総研が開発した、低損失の6キロボルト級4ミリメートル角のSiCダイオードと、東芝製のシリコン製IEGTを使って試作した。従来のシリコンダイオードを、スイッチング特性に優れる高速のSiCダイオードに置...

両者はSBDチップをより大電流化するため、金属と半導体の接合界面について研究する。 ... SiCデバイスはシリコン半導体と比べ耐圧強度が10倍以上と高く電力損失が少ない。このためダイオードな...

シリコンは電子移動度が大きく、応答速度で有機半導体や酸化物半導体をしのぐ。... こうして3月末、シリコンと有機半導体、酸化物半導体の各TFT特性を徹底的に比較する挑戦的なシンポジウムが、茨城県つくば...

三菱電機は09年度、熊本工場(熊本県合志市)で、炭化ケイ素(SiC、シリコンカーバイド)を基板にした次世代電力用半導体(パワーデバイス)の生産体制を整え...

また、半導体デバイスが動作すると自己的に発熱する200―150度C程度では、冷却せずに数十年も動作し続けることが可能という。 パワーデバイスは現在、従来のシリコン半導体のほかに、窒化ガリウムや...