炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体のほか、パッケージやモジュールの開発などに取り組む。

日本ガイシは今回、ハニセラムの材料に炭化ケイ素(SiC)を使ったEHCを開発。

【京都】ロームは19日、独ヴィテスコ・テクノロジーズに対して炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を長期供給するパートナーシップ契約を締結した(写真)。同...

その中でも電力の制御や変換を担い高効率な「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」は、京都先端科学大学の松波弘之特任教授(京都大学名誉教授)によって生み出された。... この...

次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)半導体は、従来の半導体よりも高温になる性質があるため、電動車向けを中心に商機を狙う構えだ。

三菱電機は13日、パッケージ内部でのインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を従来比で約47%低減した「産業用フル炭化ケイ素(SiC)パワー半...

愛三工業によるアンモニアを使った燃料電池の発電システムのほか、ジェイテクトグラインディングツール(愛知県岡崎市)による炭化ケイ素(SiC)ウエハーの切削加工、テラ・ラボ...

また第1弾ではパワーデバイスに炭化ケイ素(SiC)を搭載するが、第2弾ではDC―DCコンバーターやOBCのパワーデバイスを高周波動作が得意な窒化ガリウム(GaN)に置き...

(木曜日に掲載) ◇量子科学技術研究開発機構(QST)高崎量子応用研究...

富士電機は30日、炭化ケイ素(SiC)を使う次世代パワー半導体の生産能力を2026年度に22年度比で50倍に引き上げると明らかにした。... 宝泉徹執行役員専務(半導体事業本部...

炭化ケイ素(SiC)インゴットからウエハーを切り出す「KABRA(カブラ)」の技術や装置もIBで開発された。

三菱電機が炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の開発・生産に力を入れている。... このほど米国企業と8インチのSiC基板を共同開発することを表明した。... コヒレントはSiC材料を長...

具体的にはモーター制御で従来の抵抗制御方式と比べ消費電力を75%削減できる炭化ケイ素(SiC)系のパワー半導体を使用したVVVFインバーターの採用強化だ。

炭化ケイ素(SiC)の塊(インゴット)からウエハーを切り出す「KABRA(カブラ)」という工程を備えた2017年発売の装置だ。... 従来は複数のワイヤ...

省エネ性能が高い炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体基板(ウエハー)の加工が容易なグラインダー、切断後のチップの厚みや裏面の状態を全自動で検査する装置―。.....

ルネサスエレクトロニクスは、2025年に高崎工場(群馬県高崎市)で炭化ケイ素(SiC)を使うパワー半導体の生産ラインを立ち上げ、量産を始める。電気自...

また、炭化ケイ素(SiC)デバイスと走行風冷却システムを組み合わせた駆動システムを採用することにより、機器の小型化と消費電力の削減が期待できる。

また、国内でも炭化ケイ素(SiC)半導体向けの需要に対応する設備投資も行う。 国内では高純度化した製品について、TaC(炭化タンタル)をコーティングす...

設備投資は過去最高の1600億円を計画し、その5割強を炭化ケイ素(SiC)の増産に充てる。電動車の世界的普及で需要が急拡大しているSiCパワー半導体では、28年3月期に23年3月期の約...

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...