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EUVの開発は今後も継続する。... 当社の製品構成では、EUVが約半分を占めている。ただ、日本は基本的にEUVの市場とはまだ言えない」 *取材はオンラインで実施。
需要が増加するArF(フッ化アルゴン)レジストやEUV(極端紫外線)レジスト向けの新規材料の研究開発を推進し、高品質化の要望に対応する。
エレクトロニクス分野では、最先端半導体製造プロセス向け部材のEUVマスクブランクスで25年度に売上高400億円以上(現在百数十億円)を目指す。
EUVマスクブランクスは低膨張ガラス基板に複数種類のコーティングを施した部材。... 露光装置内でフォトマスクにEUVを反射させ、回路をウエハーに転写する。EUVマスクブランクスには、非常に小さな欠陥...
極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストの生産を控えるなど順調に成長しているが、まだまだ飛躍する余地がある。
微細化需要の高まりを背景にEUV(極端紫外線)露光工程の導入拡大が見込まれる一方、EUVは従来の露光方法と比べて回路線幅のばらつきが生じやすいなどの課題がある。
これから半導体産業の成長が期待される国でのシェア獲得と、極端紫外線(EUV)向けへの供給も今後は想定し、研究開発を推し進める。
新機能付与/少量多品種を製造 半導体の超微細加工の光源としてEUV(極端紫外線)レーザーの開発が進むことを前回紹介した。
しかし、EUVでは材料と放射線との反応、つまり放射線物理・化学の領域だ。... 現在、メタルレジストと呼ばれるEUVに高感度な金属元素を含んだ物質をEUV用のレジストとして利用するための研究に取り組ん...
半導体回路の微細化に寄与する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストなどが好調なJSRは、今後も半導体材料を中心に高成長が続くと見込み、22年3月期連結業績予想を上方修正した。......
25年までに生産台数をEUV露光装置で20年比2倍以上に、DUV(深紫外線)露光装置で同1・5倍以上にそれぞれ増やす。
フォトレジストは極端紫外線(EUV)向けが年内にも量産開始の見通しであるなど、市場環境を踏まえた製品開発で半導体業界の発展を支える。 ... 同社はEUV向...
「現在開発を進めている極端紫外線(EUV)レジストは年内にも量産できるだろう」という。 一方、EUVレジストは同業他社が先行している。
同社は半導体製造初期に用いられた波長436ナノメートル(ナノは10億分の1)のスペクトル線を示すG線から現在の同13・5ナノメートルの極端紫外線(EUV)向けまで、業界...
開発中の極端紫外線(EUV)レジストは2021年内にも量産が始まる見通し。
JSRは極端紫外線(EUV)用メタルレジストに強みを持つ米インプリア(オレゴン州)を買収する。... 19年にEUV用メタルレジストの量産体制を整えた。......
最先端の極端紫外線(EUV)向けでもBARC同様にレジストと基板の間に塗布するEUV下層膜を展開。... 和田部長は「半導体の高性能化とともに、EUVの利用率は伸びていく。
