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特にEUV関連では、最先端の半導体の製造に欠かせないEUVリソグラフィー技術の研究開発が進められてきた。EUVレジストなど基盤技術の開発では欠かせない存在となっている。 ... 渡辺...

半導体の最先端製造プロセスであるEUV(極端紫外線)向け需要は足元で加速している。いいタイミングだ」 ―EUVに求められる材料・技術は。 ... E...

レーザーテックは、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、シェア100%だ。EUV光は欠陥の検出感度が高いのが特徴だ。 ...

JSR、コア営業益600億円 新中計、半導体材料など強化 (2021/3/29 素材・医療・ヘルスケア)

半導体材料事業については極端紫外線(EUV)、液浸フッ化アルゴン(ArF)向けリソグラフィー材料を四日市工場(三重県四日市市)で増産。

同設備では、液浸フッ化アルゴン(ArF)や極端紫外線(EUV)プロセス向けレジストを生産する。... EUVレジストも採用が決まり、顧客の生産計画に合わせて出荷が増える...

極端紫外線(EUV)露光用レジスト原料の事業が成長し始めた。 ... 次世代のEUV市場拡大を見据え、「ArFもEUVも両方できるよう体制を整えた」という。 ...

先端半導体向けに、極端紫外線(EUV)に対応できる品質評価体制を設けた。

特に需要が高まっているのが、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。従来EUV露光用マスクの検査では、主...

【電子版】先週の注目記事は? (2021/1/12 特集・広告)

■アクセスランキング・ベスト10(1/4~1/10) 1位 TSMC、つくばに開発拠点 先端半導体で日台連携 &...

富士フ、24年にEUVレジストのシェア10%へ (2021/1/5 素材・医療・ヘルスケア)

EUVを用いたリソグラフィ技術に関しても、需要増が見込まれる。 ... FFEMはEUVレジストの開発や生産に向け、今回の検査装置導入を含め計45億円を投資した。... 現在、信越化...

ウシオ電、DI露光装置40%増 新潟で生産体制整備 (2020/12/24 電機・電子部品・情報・通信)

全自動ダイレクトイメージング(DI)露光装置の生産能力を従来比40%増にするほか、敷地内に新工場を建設してマスク検査用極端紫外線(EUV)光源部品の生産体制を構...

活況!半導体製造装置(5)キヤノン常務執行役員・武石洋明氏 (2020/12/9 電機・電子部品・情報・通信1)

(微細化で優れる極端紫外線〈EUV〉露光装置が注目を集めるが)必ずしもEUVで製造した最先端の半導体だけが市場で求められているわけではない。... 同社はEUV露光装置の商用化に唯一成...

活況!半導体製造装置(1)東京エレクトロン社長・河合利樹氏 (2020/12/3 電機・電子部品・情報・通信1)

一方、コータ・デベロッパ(塗布現像装置)は極端紫外線(EUV)に対応した装置が必要となるなど、付加価値が高まっている」 ―米中貿易摩擦がもたらす影響を...

直江津工場に加え台湾でも、5G普及などで需要拡大が見込まれる極端紫外線(EUV)レジストの生産を始める。 ... EUVレジスト事業を強化する企業が増える中、宮崎秀樹...

ニュース拡大鏡/住化、5G関連素材の事業化を加速 (2020/10/26 素材・医療・ヘルスケア)

EUVレジスト生産開始/基礎化学研究も 住友化学は、第5世代通信(5G)関連素材の事業化を加速する。... 22年度上半期にはEUVレジストの開発・評価体制...

「微細化で電子の通り道を狭くする材料の一つが極端紫外線(EUV)。

信越化、日台でフォトレジスト増産 先端半導体向け (2020/10/16 素材・医療・ヘルスケア)

直江津工場に加え、台湾でも極端紫外線(EUV)レジストの生産を始める。EUVレジストは人工知能(AI)や第5世代通信(5G)の普及などに伴い、需要が増え...

「フォトレジスト用ポリマーの生産能力は順次増強を実施しており、次は極端紫外線(EUV)を含む最先端技術向けの同ポリマーを増強する方向で検討している。

AGC、フォトマスクブランクス生産能力倍増 EUV露光用 (2020/7/28 素材・医療・ヘルスケア)

AGCは27日、半導体の生産工程で用いる消耗部材の極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクス(写真)の生産能力を現状の2倍程度に引き上げると発表した。... EU...

ファイルいい話/レーザーテック 半導体マスク欠陥検査装置 (2020/7/16 電機・電子部品・情報・通信2)

2019年には最先端の半導体加工技術である極端紫外線(EUV)露光用マスクパターンの欠陥検査装置(写真)を開発。

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