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原子鎖1本分のトランジスタなど、極小の電子デバイスを研究するモデル材料になる。 ... へテロ接合はトランジスタや太陽電池などの基本要素。

低消費電力が可能な相補型の構造を持つ接合型電界効果トランジスタ(JFET)を開発。... n型とp型のトランジスタを組み合わせた相補型回路は待機電力を抑えられるのが特徴だが、JFETで...

NICTでは、20年に、酸化ガリウム高周波電界効果トランジスタが、10ギガヘルツ(ギガは10億)程度までの周波数で利用可能であることを初めて実証した。

ローム、GaNデバイス量産体制確立 浜松に専用ライン (2022/3/23 電機・電子部品・情報・通信1)

生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を量産する。

宇宙航空研究開発機構(JAXA)では、宇宙空間において限られたエネルギー資源を効率良く利用するため、電力の供給や制御が可能なパワーデバイスや、電力の供給がなくても記憶を保持することがで...

(電機・電子部品・情報・通信に関連記事) ルーシッド・モーターズが2021年10月に出荷を始めた高級EVセダン「ルーシッド・エアー」のDC/DCコンバーター...

これを接続したトランジスタの電流変調として読み取る。

ローム、オン抵抗20%低減 スーパージャンクションMOSFET (2022/3/18 電機・電子部品・情報・通信)

600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...

有機トランジスタを作製するとアモルファスシリコン並みの電子移動度を確認できた。

ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。

ローランド/コンパクトなエフェクター (2022/2/28 新製品フラッシュ1)

シリコン製トランジスタを採用し、音や動作の安定性を高めた。

半導体製造装置など汎用・生産用・業務用機械、トランジスタや固定コンデンサーなど電子部品・デバイス、鉄素製品や特殊鋼鋼材など鉄鋼・非鉄金属などが低下した。

150ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)などを量産する。

「トランジスタにすると動作速度が1ケタ向上する」(丸山教授)という。

金属型は透明電極(ITO膜)代替に、半導体型は透明トランジスタなどへ提案。

国内の半導体関連企業と構築した“仮想垂直統合”と呼ぶサプライチェーン(供給網)に生産委託し、8月からIHクッキングヒーター用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...

シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...

半導体市場の活況により、家電のバイポーラトランジスタやセンサー類に使われる同社製品も「作りきれないほどの需要を抱えている」(山口容史常務)。

物質・材料研究機構の湯代明主任研究員と産業技術総合研究所のドンN・ふたば研究チーム長、東京大学の丸山茂夫教授らは、1本のカーボンナノチューブ(CNT)をトランジスタ...

【京都】ロームは約82億円を投じて、マレーシアの生産拠点にアナログLSI(大規模集積回路)、トランジスタ生産の後工程を担う新棟を建設する。

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