従来品に比べスイッチング損失を低減したり、新しいパッケージ技術により放熱性を高めたりする。 従来のSiCパワー半導体に比べ全負荷駆動時において、ハードスイッチングではスイッチング損失...

用途としてボンディングワイヤの電流波形やスイッチング損失、モーターコイルの磁界などの測定を見込む。

最小ゲート入力パルス幅1・25ナノ秒で、GaNデバイスを高速スイッチングできる。... 新製品はローム独自の駆動方式を採用することで、スイッチング時に規定を超える電圧値が一瞬発生するオーバーシュートの...

体積99%・電力損失55%減 【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ&#...

パッケージ内の電極にラミネート構造を採用するなど構造を最適化し、高速スイッチング動作が可能となる。SiCチップと合わせ、電力損失のさらなる低減が期待でき、産業用機器の効率化などに貢献できる。 ...

これらの採用に加え、パッケージ構造の最適化により、スイッチング損失を同社の従来のSiCパワーモジュール比で66%低減することに成功した。... インバーターの電力損失が低減されるため、鉄道車両...

東京大学の高宮真教授と畑勝裕助教、張狄波大学院生らは23日、パワー半導体のスイッチング損失をゲート操作の工夫で49%削減することに成功したと発表した。... 一方でゆっくり...

電力制御などのパワーデバイスに低損失な酸化ガリウムを利用できるようになる。... PN接合型のダイオードよりもスイッチング損失が少ない。

日立パワーデバイス(東京都千代田区、奈良孝社長)は21日、スイッチング損失を従来比約30%低減したフル炭化ケイ素(SiC)のパワー...

東芝は2日、電力のオンとオフが切り替わる際の電力損失を最大で従来比40・5%低減できるパワー半導体を開発したと発表した。... 従来のIGBTは、スイッチオン状態の際に発生する「導通損失」を低...

GaNデバイスはシリコンデバイスと比べ、スイッチング損失を大幅に低減でき、基地局、データセンターなど各種スイッチング電源の低消費電力化や小型化に貢献できるとして注目されている。

三菱電機はスイッチング損失を従来比で約30%低減したパワー半導体「SiC―MOSFET 1200V―Nシリーズ TO―247―4 パッケージ」6品種のサンプル提供を月内...

SiCパワーデバイスは従来品と比べ、スイッチング損失や導通損失が少なく、温度変化に強いなどが利点。

業界トップの低オン抵抗と、高速スイッチングも兼ね備えたことで、駆動システムへの本格採用を促していく。 ... 物理的構造起因の寄生の静電容量を大幅削減し、スイッチング損失も同社従来品...

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

パワー半導体技術の米Pre―Switchは、パワーコンバーターのスイッチング損失を大幅に低下させる共振ソフトスイッチング技術「Pre―Flex」を発表した。... あらゆるスイッチ形式に対応し、電磁干...

同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。

SiCの使用でスイッチング損失を大幅に削減し、従来のパワーモジュールに搭載したシリコン製ダイオードに比べ電力損失を約21%低減できる。

【鉄道車両用フルSiC適用電力回生・高調波損失低減システム】 電力損失・機器サイズ低減 日本機械工業連合会は「第36回優秀省エネルギー機器表彰」...

【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...