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記事検索結果
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ラピダスはimecに技術者を派遣し、「ビヨンド2ナノ」と呼ばれる次世代半導体の量産技術の確立を目指す。... 小池氏は「imecの優れたナノエレクトロニクスがラピダスの大きな原動力になる」と話した。
C60でスイッチ素子 【電荷容量の限界】 最新ロジック半導体は最小加工寸法5ナノメートル(ナノは10億分の1)で製品化され、半導体メモリーも積層化で...
半導体技術、光・電子の機能融合に道 【限界に近づく】 現在、シリコン(Si)を用いたデバイスが半導体エレクトロニクスの主流だが、その集積化は物理的な...
【融合研究進める】 産業技術総合研究所(産総研)ではこの課題に対処すべく、情報技術研究部門とナノエレクトロニクス研究部門とが継続的に融合研究を進めている。
半導体の微細化は極限まで進み、いまや10ナノメートル以下(ナノは10億分の1)である。... シリコンや金属で10ナノメートル以下の先鋭な先端をもつ1マイクロメートル程度の円錐形状を作...
蛍光X線分析装置で実現 【次世代材料開発】 低炭素社会実現に向けた次世代機能性材料の研究開発では、その内部構造と機能の関係の解明が重要だが、多くの場合、内部にナノメ...
清華大はマイクロエレクトロニクス&ナノエレクトロニクス学部の学生に、半導体メモリーのテスト手法を教えるために両装置を使うという。
EUは研究開発支援プログラム「ホライズン2020」の一つとして、マイクロ・ナノエレクトロニクス産業の産学官連携プロジェクト「ECSEL」を策定した。
(木曜日に掲載) 【一言メッセージ/産総研ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティクスグループ研究グループ長 川畑史...
東京大学大学院工学系研究科付属量子相エレクトロニクス研究センターの岩佐義宏教授らは、理化学研究所などと共同で、単一の超電導ナノチューブを使ったトランジスタを開発した。省エネルギーデバイスの開発などを支...
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門は、シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を使った新しい集積回路を開発し、動作速度が2倍に向上することを確認した。
千葉工業大学工学部の菅洋志助教は、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の内藤泰久主任研究員、物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越一仁主任研究者と共同で、白金のナノギャッ...
東京都市大学総合研究所ナノエレクトロニクス研究センターの澤野憲太郎教授らの研究グループは、絶縁膜上に300ミリメートル以上の大面積のゲルマニウムウエハーを作製する技術を開発した。
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点ナノエレクトロニクス材料ユニットの関口隆史グループリーダーらは、太陽電池用に高品質で低価格な単結晶シリコンを製造する技術を開発した。
筑波大学数理物質系の長谷宗明准教授、産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の富永淳二首席研究員らのグループは、現在の記録型DVDや、次世代の不揮発性固体メモリーとして期待されている「相変化メモ...
新機能のエレクトロニクスの創出が期待される。... また、今回発見した新原理や新機能を使った革新的なナノエレクトロニクスへの展開が期待される。
【風戸賞】▽末次志郎(細胞膜の形態を制御するタンパク質ドメインの研究)▽沢田英敬=日本電子EM事業ユニットグループ長(球面収差補正装置(Delta Co...
2014年3月まで行われた内閣府の最先端研究開発支援プログラム(FIRST)のプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」の成果。
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の森貴洋新材料・機能インテグレーショングループ研究員らは、多結晶膜の新しい形成技術を開発し、n型の多結晶ゲルマニウムトランジスタの電流駆動力を従来比10倍...
一方、産総研ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループの松川貴上級主任研究員、昌原明植研究グループ長らは、立体型トランジスタ(フィンFET)の低周波ノイズを従来比約5分の...
