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記事検索結果
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半導体製造に必要なALD(原子層堆積法)成膜・評価装置の台数を増やし、最先端の半導体成膜材料の評価・分析機能を拡充する。
半導体を製造する際のCVD(化学気相成長法)やALD(原子層堆積法)といった技術に用いる化合物「プリサーカー」が、JSRの製品群に加わる。
さまざまな幾何構造を持つ単層CNTを使って系統的にバンドエネルギーを変化させたところ、エネルギー共鳴によって励起子移動の増強が起こった。半導体工学において有用な概念である「バンドエンジニアリング」が原...
成膜工程に用いるALD(原子層堆積)材料や成膜助剤、後工程向けのプロセス材料など半導体関連材料の開発を中心に担う。
グラフェン上に2テルル化モリブデンの原子層を成長させる。... 今回、分子線エピタキシー法でグラフェン上に2テルル化モリブデンの原子層を形成した。... 原子層の組み合わせは変えられるため、新材料探索...
【オプトラン/急峻な立体構造に緻密な成膜】 オプトラン(埼玉県鶴ヶ島市)は、ALD(原子層堆積法)装置「ALDER...
現在は未来の製品に向け、技術提携先と異形状構造へ均一な薄膜を形成できる原子層堆積(ALD)法をはじめ、より高難度な成膜技術開発に注力。
「ナノアーキテクトニクス新量子材料プロジェクト」では、量子機能に関わる材料を広く捉え、超電導体、トポロジカル物質、強相関物質、2次元原子層物質から分子膜、半導体など多種多様な物質を研究対象とする。
助成対象者は「結晶の対称性を制御した新規原子層膜の創生と新規物性開拓」を研究課題とする東北大学の菅原克明准教授ら7人で、助成金額は各200万円。
新技術は分子線エピタキシャル成膜法(MBE)や原子層堆積法(ALD)に比べ、電気・光学特性設計のためドーピング量などの制御が可能。
また大気中の空気も最大限生かす形状になっていることから、層流を確保して吐出距離を伸ばすことにつながった。 ... グラフェンなどの原子層薄膜や超伝導体など、最先端の量子科学研究に用い...
原子層堆積(ALD)装置においてプロセスガスの変更による高温環境での使用にも対応可能にした。
旺盛な好奇心 未来拓く ADEKAの岡田奈奈さん(32)は半導体の微細化を支えるALD(原子層堆積)材料の開発を...
【オプトラン/スマホ向けALD装置紹介】 オプトランはスマートフォンや発光ダイオード(LED)向けで採用が進む原子層堆積(ALD...
電子デバイス研究開発用、窒化・金属膜など対応 【京都】サムコは化合物半導体など幅広い電子デバイスでの成膜に対応した原子層堆積(ALD)装置を開発し...
助成金は原子層ナノ構造による熱電変換技術を研究する東北大学電気通信研究所の大塚朋廣准教授ら13者に計1360万円を交付する。
分子科学研究所の松井文彦教授と大阪大学の菅滋正招へい教授は、グラファイト(黒鉛)表面の原子層を1層1層見分ける技術を開発した。... この3回対称性が1層ごとに反転する。反転の回数を数...
しかし、金属薄膜の表面・界面近傍の「原子1層」の磁気計測は、その困難さから、実例報告はほとんどなかった。... 鉄を例に挙げると、共鳴吸収する鉄(57Fe)としない鉄(56Fe...
放射光X線を用いた顕微磁気計測法では、最近、深さ方向に原子1層ごとの磁気を観察できるまでに至り、多数の膜からなるデバイスにおいて性能の決め手となる界面でも原子層単位で分析できる未踏の技術領域を開拓した...
