そのおかげで産業界がSiCの半導体ダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を大量に製造できた。

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...

ロームの1200ボルトクラスのSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、650ボルトクラスのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)が、ハイコの...

ショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の650ボルトクラスと1200ボルトクラスの製品。

ロームのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)「SCS308AH」が、村田製作所グループのムラタパワーソリューションズの手がける電源ユニット「D1Uシリーズ」に採用された。...

21年に最大1200ボルトの電圧に耐えられるショットキーバリアダイオード(SBD)を開発するなど、パワーデバイスの研究開発も手がける。

2インチウエハーにトレンチ型のショットキーバリアダイオード(SBD)を作製した。SBDはショットキー接合の整流性を利用し、一方向にのみ電流を流す。... 100ミリメートルウエハーの製...

富士電機は、データセンター(DC)や携帯電話基地局などの省電力化につながるパワー半導体「第2世代ディスクリート SiC―SBDシリーズ=写...

これまで同社製品のショットキーバリアダイオード(SBD)やモスフェット(MOSFET)に、昭和電工のSiCエピウエハーが採用された実績がある。

【京都】ロームは同社従来品に比べ、チップ性能を25%高効率化したショットキーバリアダイオード(SBD)24製品を拡充した。... SBDは金属と半導体を接触させることでショット...

また、オン抵抗の低いトレンチMOSFETにショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したSWITCH−MOSを開発した。 従来は1200ボルト耐圧クラスでは困難だっ...

【新棟を建設】 ロームは、SiC製のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のメーカーとして、世...

英調査会社SBDオートモーティブはコネクティッドカーが、新車に占める割合は18年で、ITが普及している米国では49%に達するとみている。... SBDオートモーティブの自動車担当アナリスト、リ...

18年後半からショットキー・バリア・ダイオード(SBD)の量産が始まる予定で、本格的な市場拡大を見込む。

当面は高速かつ高耐圧が可能なショットキーバリアーダイオード(SBD)を主力として、ラインアップを拡充する。

今後は「海外展開も視野に入れている」(構造計画研究所SBD営業部)とし、技術の普及を目指す。

航空会社、空港、空港コンサルタントなどを顧客に、手荷物搬送システム(BHS)や自動手荷物チェックインシステム(SBD)を手がけ、保守サービス事業も展開している。

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(京都・園尾雅之) FLOSFIAがGa2O3製SBDの試作開発に成功したのは2015年。電力変換効率に大きな影響を与えるオン抵抗を、SiC製SBDと比べて86...

フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を全てSiCで構成する。