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[ エレクトロニクス ]
(2017/6/29 05:00)
東芝の半導体メモリー子会社、東芝メモリは28日、記憶素子を96層積み重ねた3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。
容量は32ギガバイト(ギガは10億)。単位面積当たりのメモリー容量は64層品に比べて約1・4倍になる。2017年後半にもサンプル出荷をはじめ、18年の量産開始を計画する。
96層品の量産計画を公表するのは、東芝が初めて。データセンターやパソコン向けのソリッド・ステート・ドライブ(SSD)、スマートフォン向けなどに提案する。
64層品を生産している四日市工場(三重県四日市市)の第5製造棟、新・第2製造棟に加え、18年夏に完成する第6製造棟で量産する予定だ。
メモリー生産で協業する米ウエスタンデジタル(WD)も同日、96層3D構造NANDを開発したと発表した。
ただし東芝は同日、同社に対し訴訟を提起した。WDも東芝に対し訴訟を起こしており、両社の関係悪化がメモリー生産に影響を与える可能性もありそうだ。
(2017/6/29 05:00)
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