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記事検索結果
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【京都】ロームと京都大学大学院工学研究科木本恒暢教授は7日、炭化ケイ素(SiC)製トランジスタ「トレンチゲート縦型MOSFET」の大容量化に成功したと発表した。
パワー回路にはIGBTのほか、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)やファーストリカバリーダイオード(FRD)などのパワー半導体を搭載できる。
MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)などのパワー半導体やセンサーの単品売りで評価されてきた。... 「半導体スイッチやMOSFETの技術をライセンス供与するものだ。
従来品はパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4素子とドライバーICの合計5素子を実装していたが、これを一つのパッケージに集積、小型化した。
NECエレは現在、金属酸化膜半導体電界効果トランジスター(MOSFET)など、パワー半導体パッケージのワイヤボンディングと呼ばれる製造過程では、結線素材の大半に金を使用しており、銅線は...
産業用インバーターやモーター駆動装置、スイッチング電源装置などの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)駆動などに適しているという。
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個と駆動用ICを1パッケージ化した。... プロジェクターの光源は超高圧水銀ランプで、点灯用回路はMOSFETを4個使う。
三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は2日、携帯電話に適した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し、5月からサンプル...
NECエレクトロニクスは薄型パッケージを採用した金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)4品種のサンプル出荷を始めた。
コントロールICと金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個を1パッケージに収めたマルチチップパッケージを採用し、自動実装を可能にした。
新電元工業はオン抵抗を同社従来品と比べ20%小さくしたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、写真)を開発した。... MOSFETの性能指数であるRon・Q...
【京都】ロームは液晶テレビ用バックライトインバーターなど向けに、500―600ボルトクラスの高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ)「Fシリーズ」を開発した。
シリコン酸化膜に換算した電気的に等価な膜厚である等価換算膜厚(EOT)で、世界初の0・37ナノメートル(ナノは10億分の1)のゲート絶縁膜を持つMOS型電界効果トランジ...
近くサンプル出荷する予定で、金属酸化膜電解トランジスタ(MOSFET)に駆動回路などを組み合わせ、インバーターなどを製品化する。
開発したFETは電流が流れているときの抵抗が3ミリオーム平方センチメートルで、一般的なシリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の50分の1。
三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は、リチウムイオン電池向け充放電保護回路のスイッチとして使うMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ...
さらに動作抵抗が0・1オームと低い金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)で低損失を実現、放熱部品を不要としたことなどで小型化した。
ルネサステクノロジは14日、二つのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を一つのパッケージに収めた「RJK0383DPA=写真」を製品化したと発表した。
ルネサステクノロジはハンディ無線機などの送信電力増幅用に、高周波パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)「RQA0010」と「RQA0014」を製品化した。
産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。... ...
