同装置は従来、30ナノメートル世代の対応まで改良が進んでいたが、20ナノメートル世代以降は極端紫外線(EUV)露光装置などの導入が必要とみられていた。

【横浜】神奈川大学の西久保忠臣教授はEUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを完成、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターンを作成することに成...

例えば、同センターが開発を進める波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の高輝度極端紫外線(XUV)レーザー光源が実用化すれば、半導体など精密部品の超微細加工が期...

東芝は次世代EUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを開発した。

光源に極端紫外線(EUV)を採用した次世代露光装置も有力視したが、20ナノ台では導入を見送る。

ニコンは次世代半導体製造に利用する極端紫外線(EUV)光源の露光装置の開発を見直す。

さらに先の線幅20ナノメートル台のプロセスでは露光光源に極端紫外線(EUV)を使う装置の開発が進められている。

半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、極端紫外線(EUV)露光技術で、2013年以降の回路線幅22ナノメートル...

新たに露光光源に極端紫外線(EUV)を用いるEUV露光の利用が提案されている。

新製品「MGR108」は低分子の「芳香族アルデヒド」が主原料で、極端紫外線(EUV)という技術でつくる先端半導体プロセスに対応している。

半導体製造装置に用い、ハーフピッチ22ナノメートルを可能とする極端紫外線(EUV)露光装置用マスクブランクスの商業化を加速化させ、2013年ころの実用化を目指す。

低コストで、かつ短期間に衛星をシリーズ化するため、電源や通信・制御系を収納した標準バスを開発、紫外線よりも波長の短い極端紫外線(EUV)で金星や火星などの惑星の大気を観測、そのメカニズ...

半導体露光は回路を一段と微細化することを狙い、光源をレーザー光から極端紫外線(EUV)に替える研究開発が進んでいる。 ... 露光光源は波長436ナノメートルの可視光線「g線」...

露光装置業界の標準的な技術開発計画(ロードマップ)では同32ナノメートルの半導体製造までダブルパターニング技術を用いて、2013年に実用化を予定する同22ナノメートル半導体には極端紫外...

半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。

オランダのASMLは2010年に、光源に極端紫外線(EUV)を採用した半導体露光装置「NXE 3100」を市場投入する計画を明らかにした。

欧州研究開発共同体(コンソーシアム)のIMECは、「極端紫外線(EUV)露光装置」による回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の半導体の量産...

次世代半導体の加工技術とされる極端紫外線(EUV)露光用のレジストの開発を進める。

【神戸】兵庫県立大学高度産業科学技術研究所(兵庫県上郡町)は11月をめどに、同研究所付属の放射光施設「ニュースバル」(同)に極端紫外線(EUV)露光のレ...

この20ナノメートル世代では露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が進められている。