EUVは13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)と従来の10分の1以下の波長であり、EUVによるリソグラフィ技術が確立すれば、より微細な回路パターンの投影が可能になる。 &#...

極端紫外線(EUV)で半導体回路パターンをシリコンウエハー上に焼き付けるEUV転写技術(リソグラフィー)の実用化促進に役立つ。 ... 容器内に集光ミ...

足元ではEUV(極紫外線)を光源に採用した次世代露光装置の研究開発を進めている。EUV露光装置を巡っては実現可能性が低いと判断し、ニコン、キヤノンともに撤退している。ASMLがEUV露...

ただ既存技術を使った微細化は限界に近く、早晩、3Dのほか、EUV(極紫外線)露光やArF液浸の多重露光といった新技術が必要になる。

「重要特許の多くをMIIが抑えているので心配していない」 ―EUV(極紫外線)露光装置の可能性についてはどう見ていますか。 ... 一方、EUV、A...

―EUV(極紫外線)露光装置の量産技術の実現性をどう見ていますか。 ... 当社もEUV露光装置の基本設計は行っているが、課題が多く量産装置の開発にゴーサインを出せる...

◆ ―EUV(極紫外線)露光装置の開発状況は。 ... 道筋は見えてきており、オランダの本社工場はEUV装置の需要増に備え拡張工事を行っている」&#...

長く次世代技術の本命とされてきたEUV(極紫外線)露光。... EUV露光装置を量産工場で使うには250ワット出力の光源を安定的に稼働させることが必要とされる。... 日本勢にとってE...

AfFに次ぐ光源として、波長がAfFより10分の1の13・5ナノメートルと短いEUV(極紫外線)が期待されてきた。しかしEUVは真空環境が必要、従来のレンズ技術が生かせないといった課題...

EUVの波長は13・5ナノメートルと現在主流のArF(フッ化アルゴン)光源と比べ約10分の1と短い。... EUVの実用化に向けた研究も継続する。 ... 一方、EU...

次世代技術の極端紫外線(EUV)リソグラフィーの普及が遠のく中、既存のフッ化アルゴン(ARF)液浸リソグラフィー工程を2回以上繰り返すマルチパターニングを使い、20ナノ...

酸化亜鉛に不純物としてインジウムを混ぜており、波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)に達する極端紫外線(EUV)を可視光に変換する時間がピコ秒(ピコは1...

次世代の極端紫外線(EUV)リソグラフィー露光装置の実用化が近づく。... 従来のEUV露光プロセスは1回のEUV露光でレジスト中に酸が発生し、反応が進む。... 2回目の光全面露光で...

【横浜】レーザーテックは極紫外線(EUV)マスク裏面の定期管理や受け入れ検査などができる装置「BASICシリーズ=写真」を発売した。... 対応する基板サイズは6インチのEUV...

当面は日本で中小型パネル向けの開発を進めたい」 ―極紫外線(EUV)用など次世代フォトレジストの事業見通しは。

極紫外線(EUV)など次世代露光技術の普及が遅れている中、半導体業界は既存技術の改良で半導体微細化に対応。

18年までに直径450ミリメートルの半導体シリコンウエハーの普及や次世代機の極紫外線(EUV)露光装置の本格量産が予想される。

同じく次世代機として期待されている極紫外線(EUV)露光装置は18年からの本格量産が予想されており、先行して市場投入を図る。

東芝とニューフレアはこれまでに次世代の露光装置として期待される極紫外線(EUV)装置に対応したマスク検査装置などを共同で開発している。

次世代の露光装置として期待されている極紫外線(EUV)装置の開発を加速する。... EUVに関する両社の専門技術を組み合わせることで、リスクを低減しながら、技術の早期実現を目指す。&#...