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記事検索結果
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今回、増幅器の周波数を制限する要因となっていたトランジスタの寄生容量成分をインダクタ成分で中和する「中和回路」を500ギガヘルツ帯で初めて適用。高速で高い利得を持つインジウムリン製の高電子移動度トラン...
ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所の飯野裕明准教授、半那純一名誉教授らは、従来比2000倍以上の成膜スピードで有機トランジスタ向けの半導体を塗布成膜することに成功した。... 10センチ...
【移動度3倍】 最近我々は、トランジスタのゲート絶縁体としてこれまで主に使われてきたアルミナなどの金属酸化物の代わりに、六方晶窒化ホウ素(h―BN)という材料を使うこ...
トランジスタやスマートフォン向け半導体集積回路など電子部品・デバイス、普通乗用車など輸送機械、非鉄金属地金や特殊鋼鋼材など鉄鋼・非鉄金属ほかが低下した。
ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、極薄の酸化物半導体(IGZO)のトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリーを3次元に積んだ人工知能(AI)チップを開発した。
【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
【横浜】イリソ電子工業は、車載インバーターに使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の耐振動性を高めるボード・ツー・ボード(BツーB)フローティングタイプコ...
トランジスタや半導体集積回路など電子部品・デバイス、皮膚用化粧品や有機化学製品など化学・石油石炭製品、橋りょうやアルミニウム製建具など金属製品ほかが上昇した。
バイオマーカーの検出、呼気の分析などに用いる化学センサーとしてイオン感応性電界効果トランジスタ、触媒燃焼型ガスセンサーなどがすでに実用化されているが、使用の都度調整を必要とし、センサー表面の清浄・活性...
GaNデバイスはGaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する。 ... より小型のデバイスが求められるため住友...
米国で生産に乗り出すのは、GaNを使った高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、中継器と呼ばれる基地局設備の中で電波を増幅する役割を果たす。
顧客の半導体メーカーが同基板でパワートランジスタを量産ラインで試作し、実用化に耐える品質の安定性を確認した。... パワートランジスタはインバーターやコンバーターなどの電力変換器に用いられる半導体素子...
