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記事検索結果
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半導体製造装置用セラミックスや窒化ケイ素セラミックス製絶縁放熱基板などの製造能力は5割増える。... パワー半導体向けでは、自動車や回路基板メーカーの窒化ケイ素セラミックス製絶縁放熱基板の需要拡大への...
液浸冷却とは、IT機器を絶縁性のあるフッ素系不活性液体などに浸すことで、効率的な冷却を図る方式。
KRI(京都市下京区、川崎真一社長)は、永久磁石レベルの弱い磁場を利用し、電気絶縁性と高い熱伝導性を兼ね備えた樹脂複合材料の作成方法を開発した。... 電...
同事業所が手がける製品は絶縁体「がいし」、半導体製造装置向けのセラミックヒーター、ベリリウム銅の3種類。
プラズマ下の損傷防ぐ 【神戸】量子科学技術研究開発機構は、帝国イオン(大阪府東大阪市)、岡崎製作所(神戸市中央区)と共同で、フラン...
中でも、スイッチギア向けは塩分やほこりの付着量を検出して絶縁物の寿命を推定する環境診断を4月に始めた。また、過渡接地電圧(TEV)センサーを使って配電盤の外側から絶縁物の劣化状態を監視...
脱炭素社会の実現に向けて、電気自動車(EV)用をはじめ、高効率なパワー半導体の需要が一段と高まることを見据え、甲府工場に現存する建屋を有効活用して、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ&#...
二つの超電導材料の間に薄い絶縁体を挟み込んだ構造で、IBMなどが開発する量子コンピューターの超電導量子ビットに応用されている。 今回は、ジョセフソン接合を構成する超電導体の...
UMC日本子会社の三重工場(三重県桑名市)内に、直径300ミリメートルウエハーの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の製造ラインを新設し、2023年上期に生産を...
三菱電機は、再生可能エネルギー向けの1500ボルト電力変換機器などに対応した、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール(写真)...
絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。... ここで微量のシリコンを添加すると絶縁体の窒化アルミが半導体になる。... トランジスタの絶縁破壊電圧...
ビスマス・アンチモンのトポロジカル絶縁体を用いてナノ秒(ナノは10億分の1)の磁化反転に成功した。... ビスマス・アンチモンのトポロジカル絶縁体と白金とコバルトの多層膜を組み合わせて...
漏洩(ろうえい)電流も交流100ボルト入力時で0・13ミリアンペア、同264ボルト入力時で0・30ミリアンペアと標準の組み込み型より低く抑えたほか、入力側と出力側の絶縁も強化した。
【立川】エンドレスハウザージャパン(東京都府中市、泉俊彰社長)は、国際的な機能安全規格「IEC61508」に準拠した計装機器用電源・絶縁インターフェース「...
