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三菱電機は10日、炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体モジュールの新製品2製品の販売を始めたと発表した。
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)二つを1セットにしたモジュールを開発した。
独社の強みは、シリコン製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)...
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧は600ボルト。
フィラーを65%混ぜて複合材の膜厚方向に交流電界をかける。パルス電界の採用などで50倍高い電界をかけられるようになった。
その結果、破壊された地殻内部が摩擦で帯電し、その電界が地表面から電離層に伝わり、異常を引き起こす。
三菱電機は人工知能(AI)サーバー向けとして、応答速度を従来比2倍に高めた伝送速度200ギガbps(ギガは10億)の半導体レーザー「EML(...
半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...
異常ネルンスト効果は、熱流に直交方向に電界が現れるため、従来のセンサーよりも構造が大幅に単純化され、安価でフレキシビリティーが高い熱流センサーの実現が期待できる。
物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
豊橋技術科学大学発のベンチャー、パワーウェーブ(愛知県豊橋市、阿部晋士社長)が開発した電界結合ワイヤレス給電システムを活用した電動キックボードの実証実験が始まった。...
シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。
同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を量産したが、実はその1年前の09年、SiCウエハーを手がける独サイクリスタルを買収している。
1ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降で鍵となる相補型電界効果トランジスタ(CFET)を見すえた最先端の技術だ。
「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。
ノーマリーオフ動作するダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
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