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記事検索結果
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炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル成長装置も引き合いが多い。
生成したパラジウムの多結晶のコアに、エピタキシャル成長と呼ばれる方法で白金原子を重ね、コアシェル型ナノ粒子を完成させた。
分子線エピタキシャル成長(MBE)法で作製した半導体の表面上に、低温走査トンネル顕微鏡(STM)を使った原子操作で、原子をブロックのように積み上げてナノメートル構造&#...
従来は添加剤の影響で調べられなかったが、エピタキシャル成長による新たな合成法で可能にした。... 今回は単結晶基板上へのエピタキシャル成長で合成した。
今回、エピタキシャル成長によってp型基板層を作製する従来のフリップ型の技術を使い、さらにSiC基板のカーボン面を利用した独自の構造を採用した。高品質のn基板上に、高耐圧性能を持たせるために厚いn型層を...
森田行則シリコンナノデバイスグループ主任研究員らは、高濃度の不純物を注入したソース上にチャネルをエピタキシャル成長させて加工し、2層構造のチャネル周囲にゲート電極を配置した立体構造のトランジスタを開発...
平たん表面サファイア基板に対応するほか、化合物半導体結晶のエピタキシャル成長の格子整合を高めるためサファイア基板表面にパターン形成する各種PSSにも対応する。
SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメートル(マイクロは100万分の1)程度の立方晶(3C)系SiC層をエピタキシャル成長法という結晶成...
分子線エピタキシャル成長(MBE)という結晶成長法を使って、ホウ素を高濃度にドープしたバリウムシリサイドのp+層を製膜した。
SiC半導体技術の開発経緯の説明では、エピタキシャル成長を使って高品質なSiC結晶を実現し、SiC製のダイオードやトランジスタの実用化に結びつく自身の研究成果にふれた。
川崎教授とロームの研究グループは今年、半導体製造でよく使う分子線エピタキシャル成長法(MBE)を使い、04年に開発したものと比べ、1万倍以上の輝度を持つ酸化亜鉛系LEDの試作に成功した...
分子線エピタキシャル成長(MBE)で作製した直径約100ナノメートル(ナノは10億分の1)のゲルマニウム量子ドットを、発光が外に漏れないように、新開発の微小な円形構造&...
東京エレクトロンは2010年から炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル成長膜製造装置を事業化。... ウエハーメーカーや半導体メーカーからエピタキシャル成長膜形成を請け負い、サンプル出荷し...
【横浜】ニューフレアテクノロジーは高効率で結晶を成長させられるエピタキシャル成長装置「HT2000F」をトヨタ自動車に納入した。
