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記事検索結果
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富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...
開発技術は次世代「スピン注入磁化反転型」MRAM向けの技術。... スピン注入型は絶縁膜を磁性体で挟んだ磁気トンネル接合素子に電流を流し、磁化の反転を利用して情報を書き込む。
実用化に向け新技術のスピン注入磁化反転書き込み方式を採用する。... 90ナノメートルプロセスまでは独自開発した「電流磁場データ書き込み方式」を採用するが、それ以降の微細化ではデータ書き込みのバラつき...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...
電流磁場データ書き込み方式に加えて、データ書き込みのバラツキ抑制と消費電力抑制を図れる「スピン注入磁化反転書き込み方式」技術を共同開発している。
