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不二越、DLC2方式装置開発 成膜速度1.5倍 (2018/7/31 機械・ロボット・航空機1)

2方式はイオンビームによるスパッタリング法、ガスをプラズマ中に注入するP―CVD(化学気相成長)法。

北大、電子閉じ込めで熱電変換向上 (2018/6/21 大学・産学連携)

現在は真空プロセスが必要な気相成長法で材料を合成して基本原理を実証した段階。

結晶相に二つの異なる結晶構造が混在し、規則正しく整列していた。こうした構造が高い変換効率を示す要因の可能性もあり、結晶相を制御すればさらに高効率な太陽電池につながる可能性がある。 &...

ポリエチレンテレフタレート(PET)などの樹脂フィルム上に触媒化学気相成長法(CAT―CVD)で、酸素やフッ素を含むシリコン系化合物の薄膜を3層重ねて、厚さ0・5マイク...

フェローテックは半導体製造装置向けに、韓国で化学気相成長法(CVD)による炭化ケイ素(SiC)部材(写真)の生産に乗り出す。

アドマップ(岡山県玉野市、松田泰明社長、0863・23・3333)は、化学気相成長法(CVD)で作る多結晶の炭化ケイ素(SiC)部材の生産能力を2018...

瀬川准教授は、伊丹健一郎教授の研究室が進める分子ナノカーボンの合成法開発プロジェクトのグループリーダーを務める。分子構造を緻密に制御できる有機合成法と、安価な化学気相成長法(CVD)を...

日本電子工業は、プラズマ窒化、ラジカル窒化、プラズマCVD(化学気相成長法)、高周波誘導加熱などの各種表面処理装置製造と、これらを利用した自動車部品などの受託加工を手がける。... 同...

84年から、赤崎教授が本命と考えていた有機金属化学気相成長法(MOCVD)を使って窒化ガリウムの薄膜を形成する研究に着手した。... 中村教授もMOCVDで結晶成長したが、なかなかうま...

アルミニウムを触媒に使うことで効率的に成長させた。... 低温成長によって生産コストの削減も期待できる。 ... これをシード層(中間層)とし、その上に一般的な気相成...

CNT薄膜を化学気相成長法でシリコンチップ上に成長させ、その薄膜に電極を形成して作製した。

京都大学エネルギー理工学研究所の坂口浩司教授と中江隆博助教らの研究グループは8日、1ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の幅を持つ極細ナノ炭素細線であるグラフェンナノリボン(...

産業技術総合研究所の畠賢治首席研究員らが04年に開発した「スーパーグロース法」を利用し、同研究所や新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)と共同で、純度が99%以上の単層...

日立電線はサファイア基板上に高品質な窒化ガリウム(GaN)単結晶薄膜を成長させたGaNテンプレート(写真)の新たな量産技術を開発した。... 従来、白色LEDメーカーは...

【京都】サムコは窒化ガリウム(GaN)を材料とするパワー半導体用ウエハー向け薄膜成長装置に参入する。マルチチャンバータイプのMOCVD(有機金属化学気相成長法)装置を投...

【川越】高純度化学研究所(埼玉県坂戸市、宝地戸道雄社長、049・284・1511)は年内をめどに、物理気相成長法(PVD)向けに、付着させる薄膜成分を含んだ300ミリメ...

開発したルテニウム材料は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代DRAMに使われる、MOCVD(有機金属化学気相成長法)の成膜材料(プリカー...

テクノロジー部門最優秀賞に選ばれたのは大阪大学大学院・滝野淳一さんらのGaN(窒化ガリウム)単結晶作製技術「OVPE法」の実用化。気相成長法により市販のGaN基板よりも、安価で大口径な...

化学気相成長法(CVD)により、シリコン、ニッケル(Ni)かコバルト(Co)の化合物を成膜できる。

採用されたのは、金型の表面にプラズマ蒸着による物理気相成長法(PVD)で成膜する技術。

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