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力率を改善するPFC(力率改善回路)用とDC/DC(直流/直流)コンバーター用の2種で、電力損失が少ないGaNの高電子移動度トランジスタ(H...

GaNパワーデバイスはシリコン基板上に化学気相成長(CVD)と呼ばれる手法でGaN薄膜をつくる。... ただ、GaNは耐電圧性、耐熱性、放熱性を確保する上で技術的課題もある。... 窒...

三菱電機は衛星搭載用のC帯窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)高出力増幅器(写真)を開発し、世界で初めてサンプル出荷した。... ...

窒化ガリウム(GaN)半導体を使った超高速の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載したアンプと、携帯電話システムで実績のある信号のひずみ補正技術を組み合わせ、電力効...

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