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記事検索結果
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NTTフォトニクス研究所は、シリコンよりも高い性能が引き出せる化合物半導体のインジウム・リンを使った高速トランジスタを開発し、これを1000素子集積したDACのICチップを試作した。 ...
品目別では、主に携帯電話の高周波アンプや赤色発光ダイオード(LED)向けのガリウム・ヒ素が同27・8%増の168億円、緑色LEDなどに使われるガリウム・リンが同67・2%...
JX日鉱日石金属は22日、化合物半導体事業でインジウム・リン(InP)化合物半導体のエピタキシャル基板事業をオプトランス(川崎市多摩区)に売却すると発表した。
フォトニック結晶中に、インジウム・リン系の材料を使って、従来比約10分の1に小型化した体積0・18立方マイクロメートル(マイクロは100万分の1)の活性層を持つ、埋め込みヘテロ構造の共...
品目別では、主に携帯電話の高周波アンプや赤色発光ダイオード(LED)向けのガリウム・ヒ素が同28・7%減の276億円、緑色LEDなどに使われるガリウム・リンが同35・7%...
化合物半導体(インジウム・リン)を非球面レンズに加工する技術を開発、光ファイバー通信に適する1・3マイクロメートル波長帯半導体レーザーに一体成形した。
基本素子に化合物半導体の一つであるインジウム・リン(InP)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用することで、43ギガビット動作時に消費電力1・1ワットと高速動作と...
発光ダイオード(LED)向けガリウム・リンは減少傾向に歯止めがかからず大幅に減少した。一方、光ファイバー通信の部品などに使うインジウム・リンは輸出が減少したものの、内需の伸びで補った。
開発した赤色半導体レーザーは、積層構造の中のクラッド層に採用するアルミニウムインジウムリン(AlInP)を高純度化し、光の損失を抑制した。
このため、独自開発の高速なインジウム・リン系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、半値幅7・6ピコ秒(ピコは1兆分の1)のパルスを発するパルス発生器を開発した。&...
NTTエレクトロニクスは21日、NTTと共同でインジウムリン(InP)を素材としたスイッチ集積回路(IC)チップとスイッチモジュールを製品化し、6月1日にサンプル販売を...
従来のシリコンに対し、非線形効果が大きいインジウムガリウムヒ素リンを材料に使用。... NTTはこれまで加工が難しかったインジウムリン系の材料を使い、厚さ200ナノメートルの半導体結晶に、直径200ナ...
一方、最近、通常の太陽光強度の240倍まで集光したガリウムインジウムリン/ガリウムインジウムヒ素/ゲルマニウムの多接合セルで、変換効率40%を初めて超える40・7%...
