低消費電力が可能な相補型の構造を持つ接合型電界効果トランジスタ(JFET)を開発。... SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジ...

搭載機器の低消費電力化に貢献 【京都】ロームはインバーター回路の電力損失低減に適したパワー半導体を開発した。600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の...

パワー半導体など9テーマを採択した。ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。... 半導体集積回路...

自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...

東芝は、次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を制御するドライバーICのワンチップ化に世界で初めて成功した。... 脱炭素社会の実現を支える次世代パワー半導体の性能をより引き出す新技...

EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

ロームが今春公表した2026年3月期までの5カ年中期経営計画では、パワー・アナログ半導体で車載と海外を中心に大きく伸ばすことを全社方針として掲げた。... 炭化ケイ素&#...

ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...

産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...

徳田教授らはこれまでに、単結晶ダイヤモンドを用いた反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の動作を実証している。... 今回、現在の半導体エレクトロニクスで主...

【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...

東芝は2019―23年度の5年間でモーター制御などに使うパワー半導体の増産に約1000億円を投じる。... 東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...

【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... ロームでは、車載ECU1個当たりでMOSFETを含む半導体や積層セ...

光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。... 従来は、基板上でVCSELと...

ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。

【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...

【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。...

三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

【京都】ロームは車載カメラの小型化を後押しする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... 開発したのは、車載カメラ向け超小型MOSFET「RV4シリーズ」。