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記事検索結果
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3ナノメートルや2ナノメートルプロセスでは、現在主流の3次元構造を持つFin電界効果トランジスタ(FET)に代わり、チャネルの四つの面を囲むようにゲート電極を配置したトランジスタ「ナノ...
研究チームはマイクロ流路を備えた溶液センサーに特化した二硫化モリブデン製の電界効果トランジスタを作製。
デュアル電界方式粉体ハンドガンユニット:EcoDual 旭サナック(愛知県尾張旭市)のデュアル電界方式静電粉体ハンドガンユニット「Eco Dual」は...
これまで主に航空機や防衛関連設備機器を対象とした試験に使われてきたが、省電力で大きな電界強度を得られるなどの利点から、近年は車載機器への適用が増えているという。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
審査委員会特別賞 旭サナック デュアル電界方式粉体ハンドガンユニット:EcoDual 二重の電界を形成することで粉体塗料の使用量...
この手法は帯電状態が変わりやすいため性能の安定性が課題になるが、高い電界を加えやすい独自形状の電極を開発して精度を高めた。
そのおかげで産業界がSiCの半導体ダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を大量に製造できた。
だがLED駆動中の電界により、かさぶたが引き剝がされるように水素が分離して同欠陥クラスターが活性化し、電流損失が起こる。
ただ、ロームが10年に世界初のSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産に成功していることや、SiCウエハーでは旧・新日本製鉄(現・日本製鉄)が多...
三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...
ロームの1200ボルトクラスのSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、650ボルトクラスのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)が、ハイコの...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)といったディスクリート(個別)半導体やコネクター、コンデンサーなどを用意する。
ショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の650ボルトクラスと1200ボルトクラスの製品。
フライドテックは油の粒子を細かくするための「電界パネル」やコントローラーなどで構成する。... 同パネルで作り出した電界と振動の効果で油の粒子を細分化する。
開発した絶縁技術を自社製発電機に適用するほか、高電圧・高電界下で使う開閉器、変圧器、モーター、パワーモジュールにも展開する。
東京工業大学の本間千柊大学院生と大河内美奈教授、早水裕平准教授らは、グラフェン電界効果トランジスタで匂いセンサーを開発した。
金属探針から交流電界を照射すると、同錯体が電子スピン共鳴を起こして特定周波数の電磁場を吸収する。
