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記事検索結果
28件中、2ページ目 21〜28件を表示しています。 (検索にかかった時間:0.003秒)
同施設では、GaNの結晶成長・評価、デバイス製作プロセス研究からデバイス試作・評価を一貫して手がける。 ... 同施設では基礎研究だけでなく、それを発展させたGaNデバイス実用化も視...
電動モビリティーの利用方法の実験と、窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体デバイスの性能評価の実験を兼ねる。 ... GaNデバイスはモーター制御のトランジスタで性能...
三菱電機が第5世代通信(5G)需要の取り込みに向け、基地局向けに窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの提案を強化する。... 20年度にはGaN高周波デバイス事...
三菱電機は化合物半導体の窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの本格販売に乗り出す。... こうした需要を取り込むことで、高周波・光デバイス事業における基地局向けGaNデバイスの...
三菱電機はインジウムリン(InP)や窒化ガリウム(GaN)といった化合物半導体の光・高周波デバイスの各事業で、高速・大容量化が進むインターネットや携帯電話網の設備需要に...
エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(GaN)の成長に適している。GaNデバイス素材として、高輝度発光ダイオード...
ルネサスエレクトロニクスは7日、2010年度中に窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体を市場投入すると発表した。シリコンなど既存の材料に比べ、高出力、高温での動作可能なGaNデバイスの...