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北九州学研都市・産学連携事例PART2(5)豊光社（2014/8/6）

だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、次世代自動車や発電、鉄道など産業分野への利用が進む。

三菱電機、EV用パワー半導体に新製品（2014/7/23）

独自構造のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の搭載や、冷却フィン一体の直接水冷構造の採用により、インバーターを低消費電力化できるようにした。

まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...

日立、パワー半導体再編−子会社と統合、10月新会社（2013/6/12）

現在の生産体制は日立の臨海工場(茨城県日立市)で高圧IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を、原町電子の原町工場(福島県南相馬市)でトランジスタ関...

開発したのはシリコン―IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールで、架線から供給される直流電圧をモーター駆動用の交流電圧に変換するためのインバーターなどに搭載する。 ...

富士電機、中国にパワー半導体の後工程工場を設置（2012/4/12）

インバーターなどに組み込むIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と呼ばれるパワー半導体を月5万台生産する。

成長軌道を取り戻せ(2)三菱電機社長・山西健一郎氏（2012/1/4）

当社のパワー半導体はIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)や制御ICをひとつのモジュールにして提供している。

検証2011/パワー半導体転換点−ウエハーに炭化ケイ素（2011/12/23）

制御ICやIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と組み合わせたモジュールとしてどれだけ単価を下げつつ、高い性能を出せるかが勝負を分ける。

富士電機、15年度までにパワー半導体売上高を1500億円狙う（2011/11/18）

インバーターなどに組み込むIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を鉄道などの産業向けや自動車向けに拡販する。IGBTのシェアを13年に10年に比べ5ポイント増の20%に引...

ABB、絶縁変圧器が不要な高圧インバーター−導入コスト4割減（2011/11/8）

直接接続により、入力用の絶縁変圧器を不要にした。... 従来機は低圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)しかないため、インバーターのほかに変圧器を複数台を並べる必要があった。...

電機復権(3)毒りんごは食べない（2008/7/24）

三菱製品は試作とはいえ、一般的なインバーターに使うシリコンIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と比べ電力損失が半分という数字をたたき出した。