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住友電工、13年度から窒化ガリ基板量産−仏社と低価格化技術（2012/1/26）

ソイテックは絶縁層を設けたシリコン基板であるSOI基板の最大手。

JAXAと仏、衛星半導体を来年実用化（2011/12/2）

このFPGAは絶縁膜上シリコン(SOI)と付加回路を組み合わせて、現在のアンチヒューズ型よりもチップサイズが小さい。

住友電工と仏社、低価格窒化ガリ基板開発で協業（2010/12/2）

住友電気工業は1日、SOI基板の最大手メーカー仏ソイテック(パリ市)と、低コスト窒化ガリウム(GaN)基板の開発で協業を始めると発表した。

JAXAと三菱重、高放射線耐性のシステムLSIを“純国産”で実現（2010/11/23）

宇宙航空研究開発機構(JAXA)と三菱重工業は、超高集積回路(IC)の高速・低消費電力化を実現する民生用最先端のSOI(絶縁膜上シリコン)技術を使い、現...

東工大など、低い漏れ電流で駆動を示すSiナノワイヤ素子（2010/9/27）

開発したトランジスタは、単結晶のシリコン基板上に薄膜単結晶シリコン層と薄膜シリコン酸化膜層を形成した絶縁膜上シリコン(SOI)基板を用いて作製した。

2009産学官ビジネスフェア・紙上プレビュー(4)山形大学ほか（2009/11/17）

その一つが750度Cでシリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板上に炭化ケイ素膜を成長させる技術。

JAXAと仏宇宙研、人工衛星向け半導体を来年めどに実用化（2009/11/4）

絶縁膜上シリコン(SOI)と付加回路を組み合わせ現在のアンチフューズ型よりもチップサイズを小さくし、本格生産すれば、生産コストを半分程度に下げ、価格も米国製に比べ2―3割安くできるとい...

海外技術/米カルテック、光と振動操る結晶（2009/10/23）

結晶自体は、トランジスタとシリコンの間に絶縁層をはさむシリコン・オン・インシュレーター(SOI)のチップ上に作られ、ほかの電子デバイスと接続しての利用を想定。

日立国際、SiC半導体製造用のアニール装置を開発（2009/9/8）

日立国際は絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成するSOI(シリコン・オン・インシュレーター)構造の半導体製造用のバッチ式アニール装置で世界シェア首位。SOI装置では高精度で最高処理温度1...

OKI、FTTH用光送受信モジュールを95%小型化（2009/5/26）

開発した回路技術の応用により、石英上にシリコン薄膜を形成したSOI基板で、シリコン部分に光導波路を形成することも可能。SOI基板は量産技術が確立されており、終端装置(ONU)などの光通...

JAXA、仏国立宇宙研究センターと衛星用半導体を共同開発（2008/10/31）

チップはSOI(絶縁膜上シリコン)と付加回路を組み合わせてつくり、アンチフューズ型よりもチップサイズを小さくし、生産コストも半分程度に安くしたいという。 ... チップ自体の開...

慶大、ネット使ったアジアの高等教育でユネスコと協力（2008/6/27）

慶大が代表し13カ国27大学・研究機関が参加する「スクール・オン・インターネット(SOI=ソイ)・アジア」が基盤になっている。... SOIアジアは、インターネットを中心とする...

独創研究集団・理研の最前線(59)300mmひずみSOI基板を量産化へ（2008/2/19）

ひずみSOI基板は、SOI基板とひずみSi基板を組み合わせたものだ。SOI基板はSiO2などの絶縁層の上に100ナノ―数十ナノメートルの薄いSi層を設ける。... それまでに、ひずみSOI基板の量産化...