SiC基板は強度が高く電力ロスも小さいため、電気自動車(EV)や産業機器に使うパワー半導体の材料として注目される。... 具体的には基板を製造する際、SiCの結晶を成長させて塊とするが...

関西学院大学理工学部の金子忠昭教授らは豊田通商と共同で、次世代パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)基板で欠陥を無効化する「Dynamic AGE―ing(ダイナミック...

後工程の増強、ドイツでのSiC基板増産も推進。... 写真は20年12月に撮影したものを使用 【記者の目/シェア3割へ対応着々】 ロームはEVや産業機器な...

汎用的で塑性変形しにくいチョクラルスキーシリコン基板を下地にし、独自の成膜技術で炭化ケイ素(SiC)薄膜とGaNの厚膜を形成させる(写真)。高周波性能に優れ、従来の半絶...

NTTは東京工業大学の小山二三夫教授と共同で、高い熱伝導率を持つ炭化ケイ素(SiC)基板上にインジウムリン系化合物半導体を形成した薄膜構造のレーザー(メンブレンレーザー)...

現在は住友電工デバイス・イノベーションの本社工場(横浜市栄区)で炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたものを、同山梨事業所(山梨県昭和町)で...

エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。... 12年に独自の成膜...

パワーデバイス材料であるシリコンカーバイド(SiC)の基板上に2枚のグラフェン層を作ると、2枚のグラフェン層と基板との間にバッファー層と呼ばれるグラフェンによく似た炭素層が1枚できる。...

課題だった最大温度を従来のシリコン基板品と比べて約6分の1に抑えた。... 開発品はトランジスタを並列に8セル組み合わせた構造で、GaN―HEMT層の下の放熱基板に熱伝導率の高い単結晶ダイヤモンドを採...

また17年10月には、パワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)基板を低コストで生産する技術を持つサイコックス(東京都港区)の株式を取得。同技術の量産検証を進めており、電気自...

従来のSiC基板と比べて2分の1の低コスト化を目指し、今後3年程度かけて量産検証を進める。量産開始後は加賀電子や住友鉱の販路を活用し、電気自動車(EV)などの車載用途向けを中心に低価格...

SiC基板に絶縁膜を積む際、前処理を施した上で、無害で取り扱いが容易な窒素ガスを使って熱処理した。... より高性能な素子を安全かつ安価に製造する、次世代SiCパワー半導体の新手法になる可能性がある。...

近年、高温で動作する炭化ケイ素(SiC)基板の次世代パワー半導体が自動車などで採用される見通しが高まっているが、一方でPPは耐熱性などに課題があり、対応できない恐れがある。... ただ...

【名古屋】エルシード(名古屋市天白区、ヨハン・ピーター・エックマン社長、052・838・6624)は、次世代半導体材料である炭化ケイ素(SiC)基板用に超高速スライス技...

エア・ウォーターは炭化ケイ素(SiC)基板の用途提案を拡大する。... エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(...

(敬称略) ◇ 【論文賞】 ▽「2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究」坂本武司、久保田章亀、峠睦(熊本大、熊本大...

この界面はSiC基板と、同基板の上に形成するゲート絶縁膜が接し、酸化して形成される結合面のこと。... SiC基板はシリコンと炭素、ゲート絶縁膜はシリコンと酸素で構成する。最終的にはSiC基板側のシリ...

理化学研究所大森素形材工学研究室の片平和俊専任研究員と慶応義塾大学の小茂鳥潤教授、日進工具は、低温プラズマを照射して炭化ケイ素(SiC)基板を高精度に微細加工する技術を開発した。......

戦略的基盤高度化支援事業(サポイン事業)として、2012年度から3年間「拡散接合法によるSiC素子用高信頼性冷却(放熱)基板の開発」に取り組んだ。 こ...

電機では「再生可能エネルギー」(日立製作所)などのほか、「SiC(炭化ケイ素)関連技術」(東芝)、「パワーエレクトロニクス」(三菱電機)...