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【横浜】ニューフレアテクノロジーは28日、直径200ミリメートルのウエハー上に150マイクロメートル(マイクロは100万分の1)以上の厚みで結晶を成長できるエピタキシャル成長装置「HT...

シリコン基板でなく、炭化ケイ素(SiC)基板上にグラフェンをエピタキシャル成長すると、バンドギャップが自然に作られるという。 ... SiC基板を加熱してエピタキシャル成長した...

今回この結果を用い、単結晶の薄膜を基板の結晶面にそろえて成長させるエピタキシャル成長により、上部電極にアルミニウムを使った高品質な抵抗変化素子構造(図)を試作した。

高周波デバイスと光デバイスを製造している高周波光デバイス製作所のクリーンルームに、薄膜結晶(エピタキシャル成長)装置などを追加導入する。

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