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記事検索結果
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低消費電力が可能な相補型の構造を持つ接合型電界効果トランジスタ(JFET)を開発。... SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
NICTでは、20年に、酸化ガリウム高周波電界効果トランジスタが、10ギガヘルツ(ギガは10億)程度までの周波数で利用可能であることを初めて実証した。
(電機・電子部品・情報・通信に関連記事) ルーシッド・モーターズが2021年10月に出荷を始めた高級EVセダン「ルーシッド・エアー」のDC/DCコンバーター...
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。
シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...
1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で実証した。
EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...
炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。SiC...
そこで半導体微細化技術で作製した小型グラフェン電界効果トランジスタ上に、金属錯体分子を固定化してガスセンサーを作った。
また電界効果トランジスタに似た構造を持つことから、電流値で量子ビット状態を測定できるという利点もある。 ... これは、二つの熱サイクルの干渉効果、つまり「量子重ね合わせ」が現れたた...
ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...
【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...
メモリーに使われる強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を深層学習の積和計算に用いるのが特徴。
有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリーという素子構造を採用したもので、現在広く普及しているフラッシュメモリーを有機材料に置き換えたようなものである。 OFETメ...
金沢大学ナノマテリアル研究所の徳田規夫教授、松本翼准教授、張旭芳特任助教らの研究グループは、単結晶シリコン上にダイヤモンド製トランジスタを作製し、動作を実証した。... 徳田教授らはこれまでに、単結晶...
【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...
