まずは従来のフッ化アルゴン(ArF)露光装置では難しい、最先端の中でも限られた領域に訴求していく」 ―米インプリアへの出資で、EUV向け金属含有レジストの開発も進みそ...

半導体材料は微細化に向けた品質要求が高度化。... 半導体プロセス微細化、高品質追求 日産化学工業は22年をめどに、回路形成に使う反射防止コーティング材の生産能力を引き上げる。......

富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズの静岡工場(静岡県吉田町)に、フッ化アルゴン(ArF)用レジストの調合タンクやフィルターを含む充填設備を新設する。... 富士フ...

半導体の微細化とともに、半導体フォトレジストの市場拡大が見込まれている。... 現在量産レベル最先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置は波長193ナノメートル(ナノは10億...

事業をスリム化し、最先端の液浸タイプのフッ化アルゴン(ArF)露光装置開発を大幅に縮小する。 現状、ニコンは先端技術では蘭ASMLに完敗し、フッ化クリプトン(...

「ニーズが多様化して、最大公約数を掴(つか)むのが難しくなっている。... 微細加工技術の領域で新たな事業の軸を作りたい」 【記者の目/ナノインプリントに焦...

ここ数年はスマートフォンの大画面・薄型化や高精細カメラの搭載といった波に乗り、主力のフォトレジストやCMPスラリー(研磨材)は年率20―30%で伸長。... フッ化アルゴン&#...

半導体製造装置事業では最大手の蘭ASMLへの対抗は難しいと判断し、最先端の液浸タイプのフッ化アルゴン(ArF)露光装置開発を大幅に縮小する。配置転換を含め同事業で1000人規模の適正化...

先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸装置の開発につまずき苦戦してきたが、ここに来て同社が得意とするi線(波長365ナノメートル〈ナノは10億分の1〉)、フッ化クリプトン&...

モノのインターネット(IoT)の普及を背景に同社が手がける光源がi線、フッ化クリプトン(KrF)の両装置需要は堅調とみて約5年ぶりの大型投資に踏み切る。... キヤノン...

既存のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置で2回必要になる処理が1回で済む。装置価格もArF液浸よりも大幅に安いため、東芝は製造コストを大幅に低減できるとみる。 .....

キヤノンは先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置の開発につまずき、オランダのASML、ニコンとの競争にさえ加われない状況が続いた。... 装置価格が割安なことに加え、転写精度が高く...

最先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸フォトリソグラフィーを使い、プロセスを工夫するなどして、30センチメートルシリコンウエハーの全面に光ナノ共振器を高い精度で作製した。 ...

ニコンは、フッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置の新製品「NSR―S631E=写真」を発売した。... 先端のArF液浸では複数回に分け回路パターンを露光し、線幅を微細化する「多...

「当面は従来のフッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーが主力だろうが、EUVやICを立体的に接続する3次元(3D)実装といった”次“に対応できる体制づくりも進めている。...

EUVは光源の出力不足を背景に実用化が遅れてきた。フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー方式を延命して微細化に対応してきたが、限界に達しつつある。半導体回路の微細化は処理能力の向上に...

EUVは光源の出力不足を背景に実用化が遅れてきた。フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー方式を延命して微細化に対応してきたが、限界に達しつつある。半導体回路の微細化は処理能力の向上に...

G450Cは、450ミリメートルウエハーによる半導体製造の実用化を目指して活動しており、ニコンは2013年に先端のフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を受注し、スケジュール通りに出荷し...

半導体デバイスの生産増や微細化の進展を背景に、アジアと米国で需要が伸びている。 ... 新工場ではフッ化クリプトン(KrF)エキシマレーザーやフッ化アルゴン(...

ニコンは微細加工能力と生産性を高めたフッ化アルゴン(ArF)半導体露光装置「NSR―S322F=写真」を、12月に発売すると26日発表した。